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编辑-Z 7N60详细参数: 型号:ASEMI场效应管7N60 漏源电压(VDSS):600V 栅源电压(VGSS):±30V 持续漏极电流(ID):7A 脉冲漏极电流(IDM):28A 雪崩电流(IAR):7A 工作结点和存储温度范围(TJ,TSTG):-55 to +150℃ 最大功耗(PD):155W 零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA 正向门体漏电流(IGSSF):10uA 栅源阈值电压(VGS(th)):4V 漏源导通电阻(RDS(on)):1.2Ω 输入电容(Ciss):1460pF 输出电容(Coss):236pF 开启延迟时间(td(on)):13ns 关断延迟时间(td(off)):26ns 总栅极电荷(Qg):32nC 连续二极管正向电流(IS):7A 脉冲二极管正向电流(ISM):28A 二极管正向电压(VSD):1.5V 反向恢复时间(trr):648ns 反向恢复电荷(Qrr):4.8uC 7N60特征: 低栅极电荷 低输入电容 快速切换 100%雪崩测试 改进的dv/dt功能 |
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