时序:
先写指令20H,然后要擦除哪个Sector就要写这个地址(24位),
//Dst_Addr:扇区地址 根据实际容量设置
//擦除一个山区的最少时间:150ms
void W25QXX_Erase_Sector(u32 Dst_Addr)
{
//监视falsh擦除情况,测试用
printf("fe:%xrn",Dst_Addr);
Dst_Addr*=4096;
W25QXX_Write_Enable(); //SET WEL ,写使能
W25QXX_Wait_Busy();
W25QXX_CS=0; //使能器件 ,片选
SPI2_ReadWriteByte(W25X_SectorErase); //发送扇区擦除指令
SPI2_ReadWriteByte((u8)((Dst_Addr)>>16)); //发送24bit地址 ,先写高8位
SPI2_ReadWriteByte((u8)((Dst_Addr)>>8)); //地址中间8位
SPI2_ReadWriteByte((u8)Dst_Addr); //地址低8位
W25QXX_CS=1; //取消片选
W25QXX_Wait_Busy(); //等待擦除完成
}
8. 从一个地址读取SPI FLASH指定长度的数据
读数据指令是03H
![]()
首先发送指令,然后发送读的24位起始地址,然后就是等待数据读出。
//在指定地址开始读取指定长度的数据
//pBuffer:数据存储区
//ReadAddr:开始读取的地址(24bit)
//NumByteToRead:要读取的字节数(最大65535)
void W25QXX_Read(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u16 NumByteToRead)
{
u16 i;
W25QXX_CS=0; //使能器件
SPI2_ReadWriteByte(W25X_ReadData); //发送读取命令
SPI2_ReadWriteByte((u8)((ReadAddr)>>16)); //发送24bit地址
SPI2_ReadWriteByte((u8)((ReadAddr)>>8));
SPI2_ReadWriteByte((u8)ReadAddr);
for(i=0;i《NumByteToRead;i++)
{
pBuffer=SPI2_ReadWriteByte(0XFF); //循环读数,只需要不停的发送0xff,就可以读出数据
}
W25QXX_CS=1;
}
9. SPI在一页(0~65535)内写入少于256个字节的数据
W25Q64 将 8M 的容量分为 128 个块(Block),每个块大小为 64K 字节,每个块又分为 16个扇区(Sector),每个扇区 4K 个字节。在写操作指令后一次最多写256个字节的数据,也就是一页。
页的写操作命令02H
![]()
先写指令02H,再写24位地址,再写数据。
//在指定地址开始写入最大256字节的数据(W25Q64一次最多256个数据,也就是一页)
//pBuffer:数据存储区
//WriteAddr:开始写入的地址(24bit)
//NumByteToWrite:要写入的字节数(最大256),该数不应该超过该页的剩余字节数!!!
//不能跨页写!
void W25QXX_Write_Page(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u16 NumByteToWrite)
{
u16 i;
W25QXX_Write_Enable(); //SET WEL
W25QXX_CS=0; //使能器件
SPI2_ReadWriteByte(W25X_PageProgram); //发送写页命令
SPI2_ReadWriteByte((u8)((WriteAddr)>>16)); //发送24bit地址
SPI2_ReadWriteByte((u8)((WriteAddr)>>8));
SPI2_ReadWriteByte((u8)WriteAddr);
for(i=0;i 《 NumByteToWrite;i++) SPI2_ReadWriteByte(pBuffer);//循环写数
W25QXX_CS=1; //取消片选
W25QXX_Wait_Busy(); //等待写入结束
}
10. //无检验写SPI FLASH ,从某个地址写数据,不管地址跨不跨页。
![]()
//必须确保所写的地址范围内的数据全部为0XFF,否则在非0XFF处写入的数据将失败!
//具有自动换页功能 ,因为一个写指令后面最多能写256个字节的数据,也就是一页。
//在指定地址开始写入指定长度的数据,但是要确保地址不越界!
//pBuffer:数据存储区
//WriteAddr:开始写入的地址(24bit)
//NumByteToWrite:要写入的字节数(最大65535),也就是64K字节
//CHECK OK
void W25QXX_Write_NoCheck(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u16 NumByteToWrite)
{
u16 pageremain;
pageremain=256-WriteAddr%6; //单页剩余的字节数
if(NumByteToWrite<=pageremain)pageremain=NumByteToWrite;//如果要写入的字节数小或等于单页剩余的字节数。不大于256个字节
while(1)
{
W25QXX_Write_Page(pBuffer,WriteAddr,pageremain);//要写入的字节数小或等于单页剩余的字节数直接写
if(NumByteToWrite==pageremain)break;//写入结束了
else //NumByteToWrite>pageremain,如果要写入的数据大于单页剩余的字节数。
{
pBuffer+=pageremain;
WriteAddr+=pageremain;
NumByteToWrite-=pageremain; //减去已经写入了的字节数
if(NumByteToWrite>256)pageremain=256; //一次可以写入256个字节
else pageremain=NumByteToWrite; //不够256个字节了
}
}
}
11. 写SPI FLASH ,重点
![]()
先找出要操作的这个Sector的起始地址和结束地址,然后对这段地址里的数据进行判断,如果有不等于0xFF的,那么就把这个Sector的数据读出来保存在4k缓存中,然后再把这个扇区擦除,再更新这个Buffer中的数据,最后再把Buffer中的数据写入Sector。
![]()
//写SPI FLASH
//在指定地址开始写入指定长度的数据
//该函数带擦除操作!
//pBuffer:数据存储区
//WriteAddr:开始写入的地址(24bit)
//NumByteToWrite:要写入的字节数(最大65535)
u8 W25QXX_BUFFER[4096]; //先定义一个Buffer用来存储读出来的一个扇区里的数据。
void W25QXX_Write(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u16 NumByteToWrite) //入口参数:Buffer的地址指针, 要写的地址和数据。
{
u32 secpos;
u16 secoff;
u16 secremain;
u16 i;
u8 * W25QXX_BUF;
W25QXX_BUF=W25QXX_BUFFER;
secpos=WriteAddr/4096;//算出来扇区地址
secoff=WriteAddr@96;//取余数,算出在扇区内的偏移
secremain=4096-secoff;//扇区剩余空间大小
if(NumByteToWrite<=secremain)secremain=NumByteToWrite;//如果要写的数据不大于4096个字节,没 有跨扇区
while(1)
{
W25QXX_Read(W25QXX_BUF,secpos*4096,4096);//读出整个扇区的内容,保存在Buffer中。
for(i=0;i 《 secremain;i++) //校验数据
{
if(W25QXX_BUF[secoff+i]!=0XFF)break;//如果有不等于0xFF的数据,就需要擦除
}
if(i 《 secremain)//需要擦除
{
W25QXX_Erase_Sector(secpos); //擦除这个扇区
for(i=0;i 《 secremain;i++) //更新缓存中的数据
{
W25QXX_BUF[ secoff + i ]=pBuffer; //这里的pBuffer中是我们要写的数据,把这些数据更新到缓存中对应的 位置
}
W25QXX_Write_NoCheck(W25QXX_BUF,secpos*4096,4096);//重新写入整个扇区
}else W25QXX_Write_NoCheck(pBuffer,WriteAddr,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
if(NumByteToWrite==secremain)break;//写入结束了
else//写入未结束
{
secpos++;//扇区地址增1
secoff=0;//偏移位置为0
pBuffer+=secremain; //指针偏移
WriteAddr+=secremain; //写地址偏移
NumByteToWrite-=secremain; //字节数递减
if(NumByteToWrite>4096)secremain=4096;//下一个扇区还是写不完
else secremain=NumByteToWrite; //下一个扇区可以写完了
}
};
}
W25Q64:一共是8M字节=8*1024*1024=8388608(Byte),分为128块(64K),每一块有分为16个扇区(4K),所以扇区的个数是:128*16=2048(个),那么上面函数的参数Dst_Addr的范围就是0-2047,假如要擦除第1000个的扇区,那么这个扇区的字节起始就是1000*4096=4096000,因此把4096000先发送最高8位,次高8位,再到最低8位,然后W25Q64就从4096000开始往下擦除4K大小的数据空间,计算地址的时候是使用字节来计算的。
(三)主函数
//要写入到W25Q64的字符串数组
const u8 TEXT_Buffer[]={"WarShipSTM32 SPI TEST"}; //定义字符串数组,算上结束符 ,总共22个字节
#define SIZE sizeof(TEXT_Buffer)
int main(void)
{
u8 key;
u16 i=0;
u8 datatemp[SIZE];
u32 FLASH_SIZE;
delay_init(); //延时函数初始化
NVIC_Configuration(); //设置NVIC中断分组2:2位抢占优先级,2位响应优先级
uart_init(9600); //串口初始化为9600
LED_Init(); //LED端口初始化
LCD_Init();
KEY_Init();
SPI_Flash_Init(); //SPI FLASH 初始化
POINT_COLOR=RED;//设置字体为红色
LCD_ShowString(40,50,200,16,16,"WarShip STM32");
LCD_ShowString(40,70,200,16,16,"SPI TEST");
LCD_ShowString(40,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK");
LCD_ShowString(40,110,200,16,16,"2012/9/9");
LCD_ShowString(40,130,200,16,16,"WKUP:Write KEY1:Read"); //显示提示信息
while(SPI_Flash_ReadID()!=W25Q64) //检测不到W25Q64
{
LCD_ShowString(40,150,200,16,16,"25Q64 Check Failed!");
delay_ms(500);
LCD_ShowString(40,150,200,16,16,"Please Check! ");
delay_ms(500);
LED0=!LED0;//DS0闪烁
}
LCD_ShowString(40,150,200,16,16,"25Q64 Ready!"); //检测到25Q64,显示
FLASH_SIZE=8*1024*1024; //FLASH 大小为8M字节
POINT_COLOR=BLUE; //设置字体为蓝色
while(1)
{
key=KEY_Scan(0);
if(key==KEY_UP)//KEY_UP按下,写入W25Q64
{
LCD_Fill(0,170,239,319,WHITE);//清除半屏
LCD_ShowString(40,170,200,16,16,"Start Write W25Q64....");
SPI_Flash_Write((u8*)TEXT_Buffer,FLASH_SIZE-100,SIZE); //从倒数第100个地址处开始,写入SIZE长度的数据
LCD_ShowString(40,170,200,16,16,"W25Q64 Write Finished!"); //提示传送完成
}
if(key==KEY_DOWN)//KEY_DOWN按下,读取字符串并显示
{
LCD_ShowString(40,170,200,16,16,"Start Read W25Q64.... "); //显示"Start Read W25Q64.... "
SPI_Flash_Read(datatemp,FLASH_SIZE-100,SIZE); //从倒数第100个地址处开始,读出SIZE个字节
LCD_ShowString(40,170,200,16,16,"The Data Readed Is: "); //提示传送完成
LCD_ShowString(40,190,200,16,16,datatemp); //显示读到的字符串
}
i++;
delay_ms(10);
if(i==20)
{
LED0=!LED0;//提示系统正在运行
i=0;
}
}
}
Flash与EEPROM的区别
1、 FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作
2、 FLASH写入时间长,EEPROM写入时间短
3、 FLASH擦写次数少(10000次),EEPROM次数多(1000000次)
4、 FLASH的电路结构简单,成本低,EEPROM工艺复杂,成本高
|
|
2021-12-20 14:45:56
评论
举报
|
|
|