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编辑-Z 25N120参数描述 型号:25N120 封装:TO-220 特性:高效mos管 电性参数:25A 1200V 二极管连续正向电流(IF):25A 脉冲二极管正向电流(IFM):150A 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±20V 二极管正向压降(VFM):2.0V G-E漏电流(IGES):250nA 反向恢复时间(trr):235NS 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 目前的MOS驱动有几个特殊要求: 1、低压应用 使用5V电源时,此时如果使用传统MOS管工作原理图的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,实际加到栅极的最终电压只有 4.3V。这时候我们选择标称栅极电压为4.5V的MOS管就存在一定的风险。使用3V或其他低压电源时也会出现同样的问题。 2、宽电压应用 输入电压不是一个固定值,它会随着时间或其他因素而变化。这种变化导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压不稳定。为了使MOS管在高栅极电压下安全,很多MOS管都内置稳压管强行限制栅极电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压时,会造成较大的静态功耗。同时,如果单纯利用电阻分压原理来降低栅极电压,当输入电压比较高时,MOS管工作良好,而当输入电压降低时,栅极电压不足,造成导通不彻底而增加功耗。 3、双电压应用 在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的5V或3.3V数字电压,功率部分使用12V甚至更高的电压,这两个电压以共地方式连接。这就提出了一个要求,需要使用一个电路,让低压侧能够有效地控制高压侧MOS管,而高压侧MOS管也会面临1、2中提到的问题。 在这三种情况下,图腾柱结构都不能满足输出要求,而且很多现成的MOS驱动IC似乎都没有包含栅极电压限制,而ASEMI型号25N120却很好的解决了这些问题。 |
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