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编辑-Z SFF2006参数描述 型号:SFF2006 封装:ITO-220AB 特性:超快恢复时间 电性参数:20A,600V 芯片材质:抗冲击硅芯片 正向电流(Io):20A 芯片个数:2 正向电压(VF):1.5V 芯片尺寸:110MIL 浪涌电流Ifsm:200A 漏电流(Ir):10uA 工作温度:-50~+150℃ 恢复时间(Trr):35nS 引线数量:3 SFF2006产品特点: 平面威廉希尔官方网站
、高压、外延超快恢复二极管制造威廉希尔官方网站
: 带缓冲层的外延材料结构设计,降低正向压降,实现软恢复特性; 先进的场限环和场板复合平面结端子威廉希尔官方网站
,实现高耐压要求; 先进的微电子平面制造威廉希尔官方网站
,保证结面均匀,减少漏电流; 浅结、低阳极掺杂浓度英国威廉希尔公司网站
,保证良好的热稳定性; 独有的延长铂寿命控制威廉希尔官方网站
,实现超快恢复特性。 全新台面结构、超低正向、极快恢复二极管制造威廉希尔官方网站
: 采用多层复合外延材料,实现超低正向压降和软恢复特性; 新型光滑台面制造工艺,满足高背压、低泄漏要求; 独特的铂金扩散寿命控制威廉希尔官方网站
,确保极快的恢复时间和低正向压降; 先进的钝化保护威廉希尔官方网站
,降低反向漏电流,提高器件可靠性; 三次光刻,无需离子注入和扩散,大大缩短了工艺周期,降低了生产成本。 快恢复二极管SFF2006的内部结构和外观如图所示。SFF2006的内部结构为双管式,其中双管内有两个快恢复二极管,根据连接方式在这两种快恢复二极管中,管子可分为共阴对管和共阳对管。 |
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