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STM32L0内部EEPROM写读怎么实现？

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问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 STM32L0内部EEPROM写读怎么实现？ 0
2021-11-25 07:31:50　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答刘洋该类别下有 33 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答 kpj3026 该类别下有 32 个回答。邀请回答江左盟该类别下有 32 个回答。邀请回答举报李颜相关推荐 • 为什么用stm32l0芯片写eeprom时会经常通讯失败呢 1314 • STM32L0没usb功能，怎么用来做u盘？ 5090 • STM32L0休眠模式是什么样的？ 845 • stm32L0固件库下载在哪里 19178 • 如何去实现基于STM32L0的简单Bootloader呢 1247 • 如何通过UART/USB为STM32L0微控制器实现FOTA？ 263 • STM32L0时钟系统简介 2184 • 怎样使用keil + STM32CubeMX去开发stm32L0呢 1532 • 请问STM32L0如何用LSE校准MSI 5006 • stm32L0定时器的配置过程是怎样的？ 629 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 STM32L0内部的EEPROM写操作由解锁，写入，加锁过程组成，读过程则无需解锁。至于STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间，EEPROM的部分不会被擦除，如同外部EEPROM芯片，MPU的代码升级不影响EEPROM的内容。后面以内部EEPROM的写读作为范例。基础写读函数定义内部EEPROM的地址空间： //STM32L031K6T6 #define EEPROM_BASE_ADDR 0x08080000 #define EEPROM_BYTE_SIZE 0x03FF 基础字节写函数 //Byte write void EEPROM_WRITE(uint16_t BiasAddress, uint8_t Data, uint16_t len) { uint16_t i; HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK; HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(); for(i=0;i { status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, Data); Data++; } HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(); } 基础字节读函数 //Byte read void EEPROM_READ(uint16_t BiasAddress,uint8_t Buffer,uint16_t Len) { uint8_t wAddr; wAddr=(uint8_t )(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress); while(Len--) { Buffer++=wAddr++; } } 带校验写读函数如果考虑到写读过程中，可以出现错误的情况，为了保证操作的正确性，需要采用校验方式进行写读。对于写过程，需要将写入的数据，读回做比较。对于读过程，需要将两次读回的数据，进行比较。如果比较正确，则操作完成。如果错误，可重新进行写或读操作，并在设定的重新操作次数范围内，进行重新操作识别，如果正确，则报告正确，如果错误，则报告错误。设定重复校验次数 #include #define iEEPROM_CHECK_NUM 2 带操作校验的写函数 HAL_StatusTypeDef EEPROM_WRITE_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t Data, uint16_t len) { uint8_t buff[len]; uint16_t i; for (i=0;i { EEPROM_WRITE(BiasAddress, Data, len); EEPROM_READ(BiasAddress, buff, len); if (memcmp(Data, buff, len)==0) { return HAL_OK; } } return HAL_ERROR; } 带操作校验的读函数 HAL_StatusTypeDef EEPROM_Read_W_CHECK(uint16_t BiasAddress, uint8_t Data, uint16_t len) { uint8_t buff0[len]; uint8_t buff1[len]; uint16_t i; for (i=0;i { EEPROM_READ(BiasAddress, buff0, len); EEPROM_READ(BiasAddress, buff1, len); if (memcmp(buff0, buff1, len)==0) { memcpy(Data, buff0, len); return HAL_OK; } } return HAL_ERROR; } 其中BiasAddress为0对应内部EEPROM的0地址（EEPROM_BASE_ADDR定义了其基址），Data为数据字节指针，len为操作字节长度。需要注意的是，基于工艺制程和设计，EEPROM的使用也分为两种，其中一种和FRAM相似，可以直接进行写入而不需要提前擦除，STM32内部的EEPROM也是这一种；另外一种和FLASH相似，需要先进行基于Page的擦除后才能正确写入，对于有的EEPROM，支持基于Page最小为Byte单元的擦除。 HAL提供的内部EEPROM擦除函数, 只是进行一个word的擦除，即在某个地址上将数据改写为0x00000000, 和直接调用写函数在该地址写入0x00000000效果一样。HAL的内部EEPROM擦除函数如下： /* * @brief Erase a word in data memory. * @param Address specifies the address to be erased. * @note To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function * must be called before. * Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access * and Flash program erase control register access(recommended to protect * the DATA_EEPROM against possible unwanted operation). * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status / HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address) { HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK; / Check the parameters / assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address)); / Wait for last operation to be completed / status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE); if(status == HAL_OK) { / Clean the error context / pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE; / Write 00000000h to valid address in the data memory / (__IO uint32_t ) Address = 0x00000000U; status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE); } / Return the erase status */ return status; } 上述的代码，如果要用于STM32内部FLASH的操作，还需要增加页擦除操作。

2021-11-25 10:17:58 评论举报张鑫