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1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值漏极-源极电压小于器件规格的标称漏极-源极中断电压的90%。就是： VDS_peak≤90%* V(BR)DSS 注意：通常，V(BR)DSS的温度系数为正。因此，应将其用作器件最低工作温度下的V(BR)DSS值的参考。 2、损耗和散热 Ron值小有利于减少传导过程中的损耗，Rth值小有利于散热，因为它可以减小温度差(在相同的功耗条件下)。
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