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一、简介
MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。 其中,G是栅极,S是源极,D是漏极。 二、常见的nmos和pmos的原理与区别 NMOS NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路,由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路,由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。 PMOS PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。 NMOS和PMOS工作原理 P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路威廉希尔官方网站 。 三、MOS管应用分析 1.导通特性 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。 2.MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越高,损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 3.MOS管驱动 跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。 四、MOS应用电路设计 在实际项目中,我们基本都用增强型,分为N沟道和P沟道两种。 我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造。在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的,需要具体看数据手册。 了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为510V(G电位比S电位高);而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例。 NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接地(为固定值),只需将G极电压固定值6V即可导通;若使用NMOS当上管,D极接正电源,而S极的电压不固定,无法确定控制NMOS导通的G极电压,因为S极对地的电压有两种状态,MOS管截止时为低电平,导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的,只是控制电路复杂,这种情况必须使用隔离电源控制,使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干,明显增加电路难度。 PMOS管 使用PMOS当上管,S极直接接电源VCC,S极电压固定,只需G极电压比S极低6V即可导通,使用方便;同理若使用PMOS当下管,D极接地,S极的电压不固定(0V或VCC),无法确定控制极G极的电压,使用较麻烦,需采用隔离电压设计。 我是电子飓风eStorm,一个热爱电路/RF/微波设计的男孩;欢迎交流,微信号:eStorm22 五、常见的MOS管型号 A2700 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:9A 导通电阻:7.3mΩ SI4336 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:22A 导通电阻:4.2mΩ SI4404 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:17A 导通电阻:8mΩ SI4410 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:10A 导通电阻:14mΩ SI4420 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:10A 导通电阻:10mΩ SI4812 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:7.3A 导通电阻:28mΩ SI9410 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:6.9A 导通电阻:50mΩ IRF7313 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:6A 导通电阻:29mΩ IRF7413 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:12A 导通电阻:18mΩ IRF7477 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:11A 导通电阻:20mΩ IRF7805Z N型管(贴片) 耐压:30V 电流:16A 导通电阻:6.8mΩ IRF7811 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:11A 导通电阻:12mΩ IRF7831 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:16A 导通电阻:0.004Ω IRF7832 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:20A 导通电阻:4mΩ IRF8113 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:17A 导通电阻:5.6mΩ TPC8003 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:12A 导通电阻:6mΩ FDS6688 N型管(贴片) 耐压:30V 电流:16A 导通电阻:0.006Ω FDD6688 TO-252贴片 耐压:30V 电流:84A 导通电阻:5mΩ A2716 P型管(贴片) 耐压:30V 电流:7A 导通电阻:11.3mΩ SI4405 P型管(贴片) 耐压:30V 电流:17A 导通电阻:7.5mΩ SI4425 P型管(贴片) 耐压:30V 电流:9A 导通电阻:19mΩ SI4435 P型管(贴片) 耐压:30V 电流:8A 导通电阻:20mΩ SI4463 P型管(贴片) 耐压:20V 电流:12.3A 导通电阻:16mΩ SI9435 P型管(贴片) 耐压:30V 电流:5.3A 导通电阻:50mΩ IRF7424 P型管(贴片) 耐压:30V 电流:8.8A 导通电阻:22mΩ STM4439A P型管(贴片) 耐压:30V 电流:14A 导通电阻:18mΩ FDS6679 P型管(贴片) 耐压:30V 电流:13A 导通电阻:9mΩ BUZ111S N型管(直插) 耐压:55V 电流:80A 导通电阻:8mΩ 5N05 N型管(直插) 耐压:50V 电流:75A 导通电阻:0.0095Ω 6N60 N型管(直插) 耐压:600V 电流:5.5A 导通电阻:0.75Ω 50N03L N型管(直插) 耐压:25V 电流:28A 导通电阻:21mΩ 60N06 N型管(直插) 耐压:60V 电流:60A 导通电阻:14mΩ BTS110 N型管(直插) 耐压:100V 电流:10A 导通电阻:200mΩ BTS120 N型管(直插) 耐压:100V 电流:19A 导通电阻:100mΩ IRF15 0 N型管(铁壳非直插) 耐压:100V 电流:40A 导通电阻:55mΩ IRF1405 N型管(直插) 耐压:55V 电流:131A 导通电阻:5.3mΩ IRF2804 N型管(直插) 耐压:40V 电流:75A 导通电阻:2mΩ IRF3205 N型管(直插) 耐压:55V 电流:110A 导通电阻:8mΩ IRF3703 N型管(直插) 耐压:30V 电流:210A 导通电阻:2.3mΩ IRL3803 N型管(直插) 耐压:30V 电流:140A 导通电阻:6mΩ |
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