如何使用STM32的固件库去操作FLASH的几个常用函数呢

　　STM32 本身没有自带 EEPROM，但是 STM32 具有 IAP（在应用编程）功能，所以我们可以把它的 FLASH 当成 EEPROM 来使用
　　STM32 FLASH 简介
　　不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到了1024K 字节。战舰 STM32 开发板选择的 STM32F103ZET6 的 FLASH 容量为 512K 字节，属于大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），
　　STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。
　　主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是 0X08000000， B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。
　　信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，
　　闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
　　闪存的读取
　　内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何 32 位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个 AHB 接口与 CPU 衔接。这个接口的主要工作是产生读闪存的控制信号并预取 CPU 要求的指令块，预取指令块仅用于在 I-Code 总线上的取指操作，数据常量是通过 D-Code 总线访问的。这两条总线的访问目标是相同的闪存模块，访问 D-Code 将比预取指令优先级高
　　这里要特别留意一个闪存等待时间，因为 CPU 运行速度比 FLASH 快得多，STM32F103的 FLASH 最快访问速度≤24Mhz，如果 CPU 频率超过这个速度，那么必须加入等待时间，比如我们一般使用 72Mhz 的主频，那么 FLASH 等待周期就必须设置为 2，该设置通过 FLASH_ACR寄存器设置。
　　使用 STM32 的官方固件库操作 FLASH 的几个常用函数。这些函数和定义分布在文件 stm32f10x_flash.c 以及 stm32f10x_flash.h 文件中。
　　1. 锁定解锁函数
　　在对 FLASH 进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列（KEY1 和 KEY2），固件库函数实现很简单：
　　void FLASH_Unlock（void）；
　　同样的道理，在对 FLASH 写操作完成之后，我们要锁定 FLASH，使用的库函数是：
　　void FLASH_Lock（void）；
　　2. 写操作函数
　　固件库提供了三个 FLASH 写函数：
　　FLASH_Status FLASH_ProgramWord（uint32_t Address， uint32_t Data）;
　　FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord（uint32_t Address， uint16_t Data）;
　　FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData（uint32_t Address， uint8_t Data）;
　　顾名思义分别为：FLASH_ProgramWord 为 32 位字写入函数，其他分别为 16 位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明，32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。
　　3. 擦除函数
　　固件库提供三个 FLASH 擦除函数：
　　FLASH_Status FLASH_ErasePage（uint32_t Page_Address）;
　　FLASH_Status FLASH_EraseAllPages（void）;
　　FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes（void）;
　　这三个函数可以顾名思义了，非常简单。
　　4. 获取 FLASH 状态
　　主要是用的函数是：
　　FLASH_Status FLASH_GetStatus（void）；
　　返回值是通过枚举类型定义的：
　　typedef enum
　　{
　　FLASH_BUSY = 1，//忙
　　FLASH_ERROR_PG，//编程错误
　　FLASH_ERROR_WRP，//写保护错误
　　FLASH_COMPLETE，//操作完成
　　FLASH_TIMEOUT//操作超时
　　}FLASH_Status;
　　从这里面我们可以看到 FLASH 操作的 5 个状态，每个代表的意思我们在后面注释了。
　　5. 等待操作完成函数
　　在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是：
　　FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation（uint32_t Timeout）
　　入口参数为等待时间，返回值是 FLASH 的状态，这个很容易理解，这个函数本身我们在固件库中使用得不多，但是在固件库函数体中间可以多次看到。
　　6. 读 FLASH 特定地址数据函数
　　有写就必定有读，而读取 FLASH 指定地址的半字的函数固件库并没有给出来，这里我们自己写的一个函数：
　　u16 STMFLASH_ReadHalfWord（u32 faddr）
　　{
　　return *（vu16*）faddr;
　　}
　　//读取指定地址的半字（16位数据）
　　//faddr：读地址（此地址必须为2的倍数！！）
　　//返回值：对应数据。
　　u16 STMFLASH_ReadHalfWord（u32 faddr）
　　{
　　return *（vu16*）faddr;
　　}
　　#if STM32_FLASH_WREN //如果使能了写
　　//不检查的写入
　　//WriteAddr：起始地址
　　//pBuffer：数据指针
　　//NumToWrite：半字（16位）数
　　void STMFLASH_Write_NoCheck（u32 WriteAddr，u16 *pBuffer，u16 NumToWrite）
　　{
　　u16 i;
　　for（i=0;i《NumToWrite;i++）
　　{
　　FLASH_ProgramHalfWord（WriteAddr，pBuffer）;
　　WriteAddr+=2;//地址增加2.
　　}
　　}
　　//从指定地址开始写入指定长度的数据
　　//WriteAddr：起始地址（此地址必须为2的倍数！！）
　　//pBuffer：数据指针
　　//NumToWrite：半字（16位）数（就是要写入的16位数据的个数。）
　　#if STM32_FLASH_SIZE《256
　　#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
　　#else
　　#define STM_SECTOR_SIZE 2048
　　#endif
　　u16 STMFLASH_BUF［STM_SECTOR_SIZE/2］;//最多是2K字节
　　void STMFLASH_Write（u32 WriteAddr，u16 *pBuffer，u16 NumToWrite）
　　{
　　u32 secpos; //扇区地址
　　u16 secoff; //扇区内偏移地址（16位字计算）
　　u16 secremain; //扇区内剩余地址（16位字计算）
　　u16 i;
　　u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址
　　if（WriteAddr《STM32_FLASH_BASE||（WriteAddr》=（STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE）））return;//非法地址
　　FLASH_Unlock（）; //解锁
　　offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址。
　　secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6
　　secoff=（offaddr%STM_SECTOR_SIZE）/2; //在扇区内的偏移（2个字节为基本单位。）
　　secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小
　　if（NumToWrite《=secremain）secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
　　while（1）
　　{
　　STMFLASH_Read（secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE，STMFLASH_BUF，STM_SECTOR_SIZE/2）;//读出整个扇区的内容
　　for（i=0;i《secremain;i++）//校验数据
　　{
　　if（STMFLASH_BUF［secoff+i］！=0XFFFF）break;//需要擦除
　　}
　　if（i《secremain）//需要擦除
　　{
　　FLASH_ErasePage（secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE）;//擦除这个扇区
　　for（i=0;i《secremain;i++）//复制
　　{
　　STMFLASH_BUF［i+secoff］=pBuffer;
　　}
　　STMFLASH_Write_NoCheck（secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE，STMFLASH_BUF，STM_SECTOR_SIZE/2）;//写入整个扇区
　　}else STMFLASH_Write_NoCheck（WriteAddr，pBuffer，secremain）;//写已经擦除了的，直接写入扇区剩余区间。
　　if（NumToWrite==secremain）break;//写入结束了
　　else//写入未结束
　　{
　　secpos++; //扇区地址增1
　　secoff=0; //偏移位置为0
　　pBuffer+=secremain; //指针偏移
　　WriteAddr+=secremain; //写地址偏移
　　NumToWrite-=secremain; //字节（16位）数递减
　　if（NumToWrite》（STM_SECTOR_SIZE/2））secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
　　else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
　　}
　　};
　　FLASH_Lock（）;//上锁
　　}
　　#endif
　　//从指定地址开始读出指定长度的数据
　　//ReadAddr：起始地址
　　//pBuffer：数据指针
　　//NumToWrite：半字（16位）数
　　void STMFLASH_Read（u32 ReadAddr，u16 *pBuffer，u16 NumToRead）
　　{
　　u16 i;
　　for（i=0;i《NumToRead;i++）
　　{
　　pBuffer=STMFLASH_ReadHalfWord（ReadAddr）;//读取2个字节。
　　ReadAddr+=2;//偏移2个字节。
　　}
　　}
　　//
　　//WriteAddr：起始地址
　　//WriteData：要写入的数据
　　void Test_Write（u32 WriteAddr，u16 WriteData）
　　{
　　STMFLASH_Write（WriteAddr，&WriteData，1）;//写入一个字
　　}