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STM32 的电源简介
STM32 有专门的电源管理外设监控电源并管理设备的运行模式,确保系统正常运行,并尽量降低器件的功耗。 电源监视器: STM32 芯片主要通过引脚 VDD 从外部获取电源,在它的内部具有电源监控器用于检测 VDD 的电压,以实现复位功能及掉电紧急处理功能,保证系统可靠地运行。 1. 上电复位与掉电复位(POR 与PDR) 当检测到 VDD 的电压低于阈值 VPOR 及 VPDR 时,无需外部电路辅助,STM32 芯片会自动保持在复位状态,防止因电压不足强行工作而带来严重的后果。 如图,在刚开始电压低于 VPOR 时(约 1.72V),STM32 保持在上电复位状态(POR,Power On Reset),当VDD 电压持续上升至大于 VPOR 时,芯片开始正常运行,而在芯片正常运行的时候,当检测到 VDD 电压下降至低于 VPDR 阈值(约 1.68V),会进入掉电复位状态(PDR,Power Down Reset) 欠压复位(BOR) POR 与 PDR 的复位电压阈值是固定的,如果用户想要自行设定复位阈值,可以使用STM32 的 BOR 功能(Brownout Reset)。它可以编程控制电压检测工作在表 45-1 中的阈值级别,通过修改“选项字节”(某些特殊寄存器)中的 BOR_LEV 位即可控制阈值级别。其复位控制示意图见图。 3. 可编程电压检测器PVD 上述 POR、PDR 以及 BOR 功能都是使用其电压阈值与外部供电电压 VDD 比较,当低 于工作阈值时,会直接进入复位状态,这可防止电压不足导致的误操作。 除此之外,STM32 还提供了可编程电压检测器 PVD,它也是实时检测 VDD 的电压,当检测到电压低于 VPVD 阈值时,会向内核产生一个 PVD 中断(EXTI16 线中断)以使内核在复位前进行紧急处理。 该电压阈值可通过电源控制寄存器 PWR_CSR 设置。 使用 PVD 可配置 8 个等级,见下表。其中的上升沿和下降沿分别表示类似上图中 VDD 电压上升过程及下降过程的阈值。 STM32 的电源系统 为了方便进行电源管理,STM32 把它的外设、内核等模块跟据功能划分了供电区域,其内部电源区域划分见图。 从框图了解到,STM32 的电源系统主要分为备份域电路、内核电路以及 ADC 电路三部分,介绍如下: 备份域电路 STM32 的 LSE 振荡器、RTC、备份寄存器及备份 SRAM 这些器件被包含进备份域电路中,这部分的电路可以通过 STM32 的 VBAT 引脚获取供电电源,在实际应用中一般会使用 3V 的钮扣电池对该引脚供电。 在图中备份域电路的左侧有一个电源开关结构,它的功能类似图 45-4 中的双二极管,在它的上方连接了 VBAT 电源,下方连接了 VDD 主电源(一般为 3.3V),右侧引出到备份域电路中。当 VDD 主电源存在时,由于 VDD 电压较高,备份域电路通过 VDD 供电,当 VDD 掉电时,备份域电路由钮扣电池通过 VBAT 供电,保证电路能持续运行,从而可利用它保留关键数据。 调压器供电电路 在 STM32 的电源系统中调压器供电的电路是最主要的部分,调压器为备份域及待机电路以外的所有数字电路供电,其中包括内核、数字外设以及 RAM。调压器的输出电压约为 1.2V,因而使用调压器供电的这些电路区域被称为 1.2V 域。 调压器可以运行在“运行模式”、“停止模式”以及“待机模式”。 运行模式下,1.2V 域全功率运行; 停止模式下 1.2V 域运行在低功耗状态,1.2V 区域的所有时钟都被关闭,相应的外设都停止了工作,但它会保留内核寄存器以及SRAM 的内容; 待机模式下,整个 1.2V 域都断电,该区域的内核寄存器及SRAM 内容都会丢失(备份区域的寄存器及 SRAM 不受影响)。 ADC 电源及参考电压 为了提高转换精度,STM32 的 ADC 配有独立的电源接口,方便进行单独的滤波。ADC 的工作电源使用 VDDA 引脚输入,使用 VSSA 作为独立的地连接,VREF 引脚则为 ADC 提供测量使用的参考电压。 STM32 的功耗模式 按功耗由高到低排列,STM32 具有运行、睡眠、停止和待机四种工作模式。 上电复位后 STM32 处于运行状态时,当内核不需要继续运行,就可以选择进入后面的三种低功耗模式降低功耗,这三种模式中,电源消耗不同、唤醒时间不同、唤醒源不同,用户需要根据应用需求,选择最佳的低功耗模式。 [tr]模式说明进入方式唤醒方式对1.2V 区域时钟的影响对VDD 区域时钟的影响调压器[/tr] 这三种低功耗模式层层递进,运行的时钟或芯片功能越来越少,因而功耗越来越低。 1. 睡眠模式 在睡眠模式中,仅关闭了内核时钟,内核停止运行,但其片上外设,CM4 核心的外设全都还照常运行。 有两种方式进入睡眠模式,它的进入方式决定了从睡眠唤醒的方式,分别是 WFI(wait for interrupt); WFE(wait for event),即由等待“中断”唤醒和由“事件”唤醒。 2. 停止模式 在停止模式中,进一步关闭了其它所有的时钟,于是所有的外设都停止了工作,但由于其 1.2V 区域的部分电源没有关闭,还保留了内核的寄存器、内存的信息,所以从停止模式唤醒,并重新开启时钟后,还可以从上次停止处继续执行代码。 停止模式可以由任意一个外部中断(EXTI)唤醒。在停止模式中可以选择电压调节器为开模式或低功耗模式,可选择内部 FLASH 工作在正常模式或掉电模式。 3. 待机模式 待机模式,它除了关闭所有的时钟,还把 1.2V 区域的电源也完全关闭了,也就是说,从待机模式唤醒后,由于没有之前代码的运行记录,只能对芯片复位,重新检测 boot 条件,从头开始执行程序。 它有四种唤醒方式,分别是 WKUP(PA0)引脚的上升沿; RTC 闹钟事件; NRST 引脚的复位 ; IWDG(独立看门狗)复位。 在以上讲解的睡眠模式、停止模式及待机模式中,若备份域电源正常供电,备份域内的 RTC 都可以正常运行、备份域内的寄存器及备份域内的 SRAM 数据会被保存,不受功耗模式影响 电源管理相关的库函数及命令 配置PVD 监控功能 PVD 可监控 VDD 的电压,当它低于阈值时可产生 PVD 中断以让系统进行紧急处理,这个阈值可以直接使用库函数 PWR_PVDLevelConfig 配置成前面表中说明的阈值等级。 WFI(Wait For Interrupt) 与WFE(Wait For Event) 命令 我们了解到进入各种低功耗模式时都需要调用 WFI 或 WFE 命令,它们实质上都是内核指令,在库文件 core_cmInstr.h 中把这些指令封装成了函数。 #define __WFI __wfi #define __WFE __wfe 对于这两个指令,我们应用时一般只需要知道,调用它们都能进入低功耗模式,需要使用函数的格式“__WFI();”和“__WFE();”来调用(因为__wfi 及__wfe 是编译器内置的函数,函数内部使用调用了相应的汇编指令)。 其中 WFI 指令决定了它需要用中断唤醒,而WFE 则决定了它可用事件来唤醒。 进入停止模式 直接调用 WFI 和 WFE 指令可以进入睡眠模式,而进入停止模式则还需要在调用指令前设置一些寄存器位,STM32 标准库把这部分的操作封装到 PWR_EnterSTOPMode 函数中。 这个函数有两个输入参数,分别用于控制调压器的模式及选择使用 WFI 或 WFE 停止: void PWR_EnterSTOPMode(uint32_t PWR_Regulator, uint8_t PWR_STOPEntry) 代码中先是根据调压器的模式配置 PWR_CR 寄存器,再把内核寄存器的 SLEEPDEEP 位置1,这样再调用 WFI 或 WFE 命令时,STM32 就不是睡眠,而是进入停止模式了。 函数结尾处的语句 SCB-》SCR &= (uint32_t)~((uint32_t)SCB_SCR_SLEEPDEEP_Msk); 用于复位 SLEEPDEEP 位的状态,由于它是在 WFI 及 WFE 指令之后的,所以这部分代码是在 STM32 被唤醒的时候才会执行。 要注意的是进入停止模式后,STM32 的所有 I/O 都保持在停止前的状态,而当它被唤醒时,STM32 使用 HSI 作为系统时钟(16MHz)运行,由于系统时钟会影响很多外设的工作状态,所以一般我们在唤醒后会重新开启 HSE,把系统时钟设置回原来的状态。 前面提到在停止模式中还可以控制内部 FLASH 的供电,控制 FLASH 是进入掉电状态还是正常供电状态,这可以使用库函数 PWR_FlashPowerDownCmd 配置。 这个函数需要在进入停止模式前被调用,即应用时需要把它放在上面的 PWR_EnterSTOPMode 之前。 进入待机模式 STM32 标准库也提供了控制进入待机模式的函数 void PWR_EnterSTANDBYMode(void); 该函数中先配置了 PDDS 寄存器位及 SLEEPDEEP 寄存器位,接着调用__force_stores函数确保存储操作完毕后再调用 WFI 指令,从而进入待机模式。这里值得注意的是,待机模式也可以使用 WFE 指令进入的,如果您有需要可以自行修改; 由于这个函数没有操作 WUF 寄存器位,所以在实际应用中,调用本函数前,还需要清空 WUF 寄存器位才能进入待机模式。 在进入待机模式后,除了被使能了的用于唤醒的 I/O,其余 I/O 都进入高阻态,而从待机模式唤醒后,相当于复位 STM32 芯片,程序重新从头开始执行。 |
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