NOR FLASH的命令是怎样去操作的

　　NOR FLASH_MX29LV160DBTI
　　NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
　　NOR flash是只读存储器，可以轻易的读，却不能够轻易的写。写NOR FLASH需要一些特定的命令。
　　MX29LV160DBTI NOR flash有21位地址线接口，16 位数据线接口。
　　NOR flash的容量一般都比较小，一般常见最大的也就只有32M.
　　NOR flash一般用来存一下内核，关键性的程序。
　　‘
　　MX29LV160DBTI的原理图如下
　　
　　以上图为例来写一些基本的底层代码
　　注意：由上图可知CPU的A1接的是NOR FALSH的A0，所以在一些地址数据传输上需要注意一些地址的移位！
　　写出一些基本的指令传送，地址传送，数据传送的函数
　　#define NOR_FLASH_BASE 0 //根据你的NOR FALSH与CPU连接，片选信号而定，由于我的NOR FLASH片选信号接的是nGCS0，所以基地址为0
　　void nor_write_word（unsigned int FLASH_base， unsigned int offset， unsigned int val） //向一个基本地址为FLASH_base的NORFALSH的offset地址写入data数据
　　{
　　volatile unsigned short *p = （volatile unsigned short *）（NOR_FLASH_BASE + （offset 《《 1））; //定义一个双字节指针P
　　*p = val;
　　}
　　void nor_write（unsigned int offset， unsigned int data） //向一个NORFALSH的地址写入data数据
　　{
　　nor_write_word（NOR_FLASH_BASE， offset， data）;
　　}
　　unsigned int nor_read_word（unsigned int base， unsigned int offset） //向一个基地址为base的NORFALSH的offset地址读出数据
　　{
　　volatile unsigned short *p = （volatile unsigned short *）（base + （offset 《《 1））;
　　return *p;
　　}
　　unsigned int nor_dat（unsigned int offset）//向NORFALSH的offset地址读出数据
　　{
　　return nor_read_word（NOR_FLASH_BASE， offset）;
　　}
　　了解NOR FLASH 的命令操作
　　我们可以根据数据手册查看NOR FLASH 的一般命令操作。（擦除，写，读，进入CFI模式等）
　　
　　由上图可知，如果想要访问芯片的厂家ID，我们需要4周期的命令才可以访问出数据。
　　同理设备ID也需要四个周期的命令才可以访问出数据。可知道我们芯片设备ID为22C4。
　　进入NOR FLASH的CFI模式进行查询
　　我们可以根据NOR FLASH的数据手册，得到如何去查看厂家ID以及其他有关芯片的资料。（例如有多少个region，每个region含有多少个block，每个block有多大）。
　　
　　
　　
　　
　　以下就是查看NOR_FLASH 一些基本数据的代码：
　　void check_nor_flash（void）
　　{
　　char str［4］;
　　unsigned int size;
　　int regions， i;
　　int region_info_base;
　　int block_addr， blocks， block_size， j;
　　int cnt;
　　int vendor， device;
　　//打印厂家ID、设备ID
　　nor_cmd（0x555， 0xaa）; //解锁
　　nor_cmd（0x2aa， 0x55）;
　　nor_cmd（0x555， 0x90）; //read id
　　vendor = nor_dat（0）;
　　device = nor_dat（1）;
　　nor_cmd（0， 0xf0）; //reset
　　nor_cmd（0x55， 0x98）; //进入cfi模式
　　str［0］ = nor_dat（0x10）;
　　str［1］ = nor_dat（0x11）;
　　str［2］ = nor_dat（0x12）;
　　str［3］ = ‘’;
　　printf（“str = %snr”， str）; //打印进入CFI模式的QRY
　　//打印容量
　　size = 1《《（nor_dat（0x27））;
　　printf（“vendor id = 0x%x， device id = 0x%x， nor size = 0x%x， %dMnr”， vendor， device， size， size/（1024*1024））;
　　//打印各个扇区的起始地址
　　/* 名词解释：
　　* erase block region ： 里面含有1个或多个block， 它们的大小一样
　　* 一个nor flash含有1个或多个region
　　* 一个region含有1个或多个block（扇区）
　　* Erase block region information：
　　* 前2字节+1 ： 表示该region有多少个block
　　* 后2字节*256 ： 表示block的大小
　　*/
　　regions = nor_dat（0x2c）;
　　region_info_base = 0x2d;
　　block_addr = 0;
　　printf（“Block/Sector start Address：nr”）;
　　cnt = 0;
　　for （i = 0; i 《 regions; i++）
　　{
　　blocks = 1 + nor_dat（region_info_base） + （nor_dat（region_info_base+1）《《8）;
　　block_size = 256 * （nor_dat（region_info_base+2） + （nor_dat（region_info_base+3）《《8））;
　　region_info_base += 4;
　　for （j = 0; j 《 blocks; j++）
　　{
　　/* 打印每个block的起始地址 */
　　//printf（“0x%08x ”， block_addr）;
　　printHex（block_addr）;
　　putchar（‘ ’）;
　　cnt++;
　　block_addr += block_size;
　　if （cnt % 5 == 0）
　　printf（“nr”）;
　　}
　　}
　　printf（“nr”）;
　　/* 退出CFI模式 */
　　nor_cmd（0， 0xf0）;
　　}
　　进行NOR FLASH的读数据操作
　　void read_nor_flash（void）
　　{
　　unsigned int addr;
　　volatile unsigned char *p;
　　int i， j;
　　unsigned char c;
　　unsigned char str［16］;
　　/* 获得地址 */
　　printf（“Enter the address to read： ”）;
　　addr = get_uint（）;
　　p = （volatile unsigned char *）addr;
　　printf（“Data ： nr”）;
　　/* 长度固定为64 */
　　for （i = 0; i 《 4; i++）
　　{
　　/* 每行打印16个数据 */
　　for （j = 0; j 《 16; j++）
　　{
　　/* 先打印数值 */
　　c = *p++;
　　str［j］ = c;
　　printf（“%02x ”， c）;
　　}
　　printf（“ ; ”）;
　　for （j = 0; j 《 16; j++）
　　{
　　/* 后打印字符 */
　　if （str［j］ 《 0x20 || str［j］ 》 0x7e） //不可视字符一律打印。..
　　putchar（‘。’）;
　　else
　　putchar（str［j］）;
　　}
　　printf（“nr”）;
　　}
　　}
　　结果如下：（下面应该是我打印的地址为0的第一块的数据，也就是程序由GCC编译器编译的最开始的汇编代码）
　　
　　NOR FLASH的繁忙状态位
　　当我们在进行一些擦除或写操作时，NOR FALSH的擦写是需要时间的，我们可以根据等待状态位来判断是否擦除完成！芯片手册如下：
　　
　　
　　
　　我们可以从芯片手册得知，当我在进行擦除和写操作时，数据位bit6一直在0和1之间切换（Toggling）
　　故可以根据这一特性写出一个等待擦除或写入完成的函数。
　　void wait_ready（unsigned int addr）
　　{
　　unsigned int val;
　　unsigned int pre;
　　pre = nor_dat（addr》》1）;
　　val = nor_dat（addr》》1）;
　　while （（val & （1《《6）） ！= （pre & （1《《6）））
　　{
　　pre = val;
　　val = nor_dat（addr》》1）;
　　}
　　}
　　进行NOR FLASH的擦除数据的操作
　　这里一定要注意硬件与NOR FLASH 的连接方式，因为之前的offset地址是基于NOR FLASH 的角度出发的
　　现在的地址是基于CPU的角度看到的，所以地址要右移1位！！！（CPU的A1 接的是NOR FLASH的A0 ）
　　void erase_nor_flash（void）
　　{
　　unsigned int addr;
　　/* 获得地址 */
　　printf（“Enter the address of sector to erase： ”）;
　　addr = get_uint（）;
　　printf（“erasing 。..nr”）;
　　nor_cmd（0x555， 0xaa）; /* 解锁 */
　　nor_cmd（0x2aa， 0x55）;
　　nor_cmd（0x555， 0x80）; /* erase sector */
　　nor_cmd（0x555， 0xaa）; /* 解锁 */
　　nor_cmd（0x2aa， 0x55）;
　　nor_cmd（addr》》1， 0x30）; /* 发出扇区地址 地址要右移一位 */
　　wait_ready（addr）;
　　}
　　进行NOR FLASH的写入数据的操作
　　void write_nor_flash（void）
　　{
　　unsigned int addr;
　　unsigned char str［100］;
　　int i， j;
　　unsigned int val;
　　/* 获得地址 */
　　printf（“Enter the address of sector to write： ”）;
　　addr = get_uint（）;
　　printf（“Enter the string to write： ”）;
　　gets（str）;
　　printf（“writing 。..nr”）;
　　/* str［0］，str［1］==》16bit
　　* str［2］，str［3］==》16bit
　　*/
　　i = 0;
　　j = 1;
　　while （str［i］ && str［j］）
　　{
　　val = str［i］ + （str［j］《《8）;
　　/* 烧写 */
　　nor_cmd（0x555， 0xaa）; /* 解锁 */
　　nor_cmd（0x2aa， 0x55）;
　　nor_cmd（0x555， 0xa0）; /* program */
　　nor_cmd（addr》》1， val）;
　　/* 等待烧写完成 ： 读数据， Q6无变化时表示结束 */
　　wait_ready（addr）;
　　i += 2;
　　j += 2;
　　addr += 2;
　　}
　　val = str［i］;
　　/* 烧写 */
　　nor_cmd（0x555， 0xaa）; /* 解锁 */
　　nor_cmd（0x2aa， 0x55）;
　　nor_cmd（0x555， 0xa0）; /* program */
　　nor_cmd（addr》》1， val）;
　　/* 等待烧写完成 ： 读数据， Q6无变化时表示结束 */
　　wait_ready（addr）;
　　}
　　以上就是我对NOR FLASH 的所有总结了！！！
　　我采用的NOR FLASH 型号就是MX29LV160DBTI，容量为2M，有4个区域，每个区域有块，由于每个区域的块的数量是不一样的，我也没有认真去看（浪一下~~）。
　　第一篇博客就写完了！！可能有一些不足的地方，希望大神的批评和指导！！！