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特点:低漏源通态电阻 RDS(on),可选择的自动电流衰减模式,混合和慢速电流衰减模式,低功耗的同步整流,内部UVLO,兼容3.3和5 V逻辑电平。 细分:1(000),1/2(100),1/4(010),1/8(110)和1/16(111) 驱动能力: 直流供电8-35V 最大2A 的峰值电流 封装:QFN 5mm*5mm 高度0.9mm 裸露焊盘 不含铅 共28个触点 控制信号电压标准: 1》2.1V 0《1.65V 输入电压Vref《4V 输入电流Iref 《3uA 安全阈值:过流保护阈值 2.1A 热关断温度165 逻辑电平欠压保护 2.8V 提供内部同步整流控制电路以提高PWM操作期间的功耗。 内部电路保护包括:具有滞后的热关断,欠压锁定(UVLO)和临界电流保护,不需要特殊的开机顺序。 1. 操作说明:两个输出全桥电流和所有N沟道DMOS FET中的电流,都通过固定关断时间的PWM(脉宽调制)控制电路进行调节。外部电流检测电阻(RS1和RS2),参考电压(VREF)和输出其DAC的电压(反过来由转换器的输出控制)来共同 控制每个输出全桥的电流。。当步进时,如果新的输出电平低于其先前的输出电平,则将有源全桥的衰减模式设置为混合衰减。 如果新输出电平高于或等于其先前电平,则将有源全桥的衰减模式设置为慢衰减。 这种自动电流衰减选择,通过降低由电机的反电动势产生的电流波形失真来改善微步进性能。 2. 细分选择细则:MS1和MS3引脚具有100kΩ的下拉电阻,MS2引脚具有50kΩ的下拉电阻。 当改变细分时,直到下一个STEP上升沿改变才会生效。如果在驱动器没有复位的情况下更改了步进模式,并且必须保持绝对位置时,则必须在两个步进模式共有的步进位置更改步进模式,以避免丢失步数。 当器件掉电或由于TSD或过流事件而复位时,驱动器将被设置为默认(所有步进模式共用的起始位置)。 3. 衰减 :通常混合衰减会用在 只有当在绕组中的电流从较高值变化到由驱动确定的较低值时。 对于大多数自动选择的混合衰减来说,自动选择混合衰减是很方便的,因为它可以在电流上升时将纹波降到最低,并在电流下降时防止错过的步骤。 对于某些需要以非常低的速度进行微调的应用场合,绕组中缺少反电动势会导致电流迅速增加,导致跳步。 如图2所示。 通过将ROSC引脚拉底,混合衰减设定为处于活动状态(100%),在上升和下降电流都是有效的,并且防失步。如图3所示。 如果没有出现问题,建议使用自动选择的混合衰减,因为它会产生降低的纹波电流。 4. 小电流驱动:适用于“在最短时间内,将输出电流从一个常态变化至 程序设定的较小的值”的情况。 为了防止这种突变,可以在电流波形的上升和下降沿将驱动设置为混合衰减模式。 该功能通过将ROSC引脚接地来实现。 在这种状态下,关闭时间内部设置为30μs。 5.复位RESET 输入: 设定驱动为初始状态,并关断所有驱动电流,所有 STEP输入都被屏蔽,直到该引脚被置高。 6.PWM电流控制:每个全桥由全控PWM电流控制电路控制,该电路将负载电流限制在期望值ITRIP以内。刚开始,由一对FET使能,电流流过电机绕组和电流检测电阻RSx。当RSx两端的电压等于DAC输出电压时,电流检测比较器重置PWM锁存器。然后锁存器关闭适当的源极驱动器并启动固定关断时间的衰减模式。通过选择R Sx和VREF引脚上的电压来设置电流限制的最大值。跨导功能通过电流的最大值近似于 I trip Max(A) : Rs 是检测电阻的阻值, Vref是Ref引脚的输入电压 在每一步的比较中 DAC的输出 会被减少到VREF。其输出电流如下: 7.衰减控制端:内部PWM电流控制电路使用单触发电路来控制DMOS FET持续关断时间。 关闭时间tOFF由ROSC终端决定。 a. ROSC接VDD - 关断时间内部设置为30μs,衰减模式为自动混合衰减,除非衰减模式设置为慢衰减,in full step。 b.ROSE接地 – 关断时间设定为30us,电流衰减被设置为混合衰减,用于增加或减少电流。除非衰减模式设置为慢衰减,in full step 。 c. ROSE 通过电阻接地,关断时间可设定,衰减模式设定为全局自动衰减。相关公式如下: 注:混合衰减可理解为强制全局衰减。 8. 短路负载和对地短路保护 : 当发生短路事件时,会保护驱动器,并禁用使他避免损坏。当然在短路的情况下,驱动会被锁定,直到 sleep 健被置高,或者电源重启。 图4 当两路同时短路发生时(存在电流检测电阻去检测该电流值,并与固定的阈值比较),在间隙时间1us之后,仍存在过流现象会导致它进入固定的关断周期。改保护期过之后,会重复这个保护过程。图5 由于混合衰减功能实现的方向变化,观察正负电流尖峰是正常的。 如图6所示。在这两种情况下,过流电路都能保护驱动器并防止损坏器件。 |
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