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如何对基于23LC1024的SPI模式读写性能进行测试

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 如何对基于23LC1024的串口RAM扩展方式进行测试？如何对基于23LC1024的SPI模式读写性能进行测试？ 0
2021-10-22 07:27:45　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × liutiefu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kasdlak 该类别下有 11 个回答。邀请回答 yuxiangxyz 该类别下有 11 个回答。邀请回答 dfgsdf 该类别下有 10 个回答。邀请回答 uuwyfsdfsf 该类别下有 10 个回答。邀请回答 fansz 该类别下有 10 个回答。邀请回答 szj0213 该类别下有 10 个回答。邀请回答乔伊斯e 该类别下有 9 个回答。邀请回答山中老虎该类别下有 9 个回答。邀请回答哥儿该类别下有 9 个回答。邀请回答悬崖勒马2 该类别下有 9 个回答。邀请回答 gXDhn 该类别下有 9 个回答。邀请回答剪刀脚该类别下有 9 个回答。邀请回答胡扯123 该类别下有 9 个回答。邀请回答我是卖报的小男孩该类别下有 8 个回答。邀请回答 fgfFsG 该类别下有 8 个回答。邀请回答 jiuri1989 该类别下有 8 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 8 个回答。邀请回答邓长生该类别下有 8 个回答。邀请回答程序诗人该类别下有 8 个回答。邀请回答举报笑过就走相关推荐 • 为什么SRAM 23LC1024中SRAM没有响应？ 2001 • 无法关闭重置连接到Arduino的SRAM 23LC1024 1519 • ATMEGA2560的I/O口模拟SPI和25LC1024进行通讯的正确程序 8147 • STM32外扩SRAM 4515 • SPI RAM Tx/Rx总线操作怎么指向读取地址？ 2199 • 光纤是如何进行分类的？如何对光纤的性能进行测试？ 1881 • 蓝牙产品怎么进行射频性能进行测试？ 4251 • 如何使用SPI？如何对SPI的操作时序进行读写呢 4634 • SPI是什么？MCU主机是如何进行SPI读写数据的？ 1686 • 使用外部MCU控制PGA450进行测距，怎么才能进入SPI模式？ 65 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　在博文“为什么单片机通常只有那么小的数据内存？”讨论在单片机内部集成大规模RAM的问题。但在有的时候还是需要有大容量的RAM作为数据缓存。比如在博文“扩展32KRAM的STC8H8K信号采集版”介绍了通过并行接口扩展单片机片外内存的方法。在STC8H8K单片机运行在40MHz总线的情况下，完成片外RAM的读写仅仅需要0.5微妙。这在很多情况下可以满足单片机数据访问的要求了。　　但是通过单片机的并口扩展外部RAM，一个最大的缺点就是造成了单片机引脚的大量浪费，增加了电子线路布板空间的浪费。因此使用高速同步串行接口（Serial Peripheral Interface）开展外部RAM可以有效解决这个问题　　本文下面通过具体实验来测试基于Microcchip公司的23LC1024（128MByte）的串口RAM的扩展方式，为今后构建数据采集单片机系统做好准备。　　设计方案　　实验AD工程：　　D：zhuoqingAltiumDesignerTest2020Test23ALC1024Test23LC1024.SchDoc * 　　1. 实验电路的原理图　　　　▲ 实验电路的原理图　　2. PCB 　　　　▲ PCB 设计版图　　3. 底层软件设计　　（1）单片机ISP硬件配置：　　单片机的工作主要频率：　　　　▲ 单片机的硬件配置　　（2）SPI设置：　　SPI基本信号，下图显示CS，CLK的信号。　　　　▲ SPI中的基本信号，CS，CLK 　　SPI 的CLK的频率设置为：　　SPISendChar（）：消耗时间：1.6us 　　SPISendReceChar（）： 1.6us 　　特性测试　　1. MODE REGISTER 　　（1）上电后读取Mode Register 缺省值：　　上电后读取LC1024：　　LC1024ReadMode： 0x40; 　　　　▲ MODE寄存器的定义　　（2）对Mode Register 读写：　　void SerialDebugProcessBuffer（void） { 　　unsigned char ucChar; 　　SerialDebugBuffer2Argument（）; 　　if（g_ucSDANumber == 0） return; 　　if（strcmp（“hello”，（char ）STD_ARG［0］） == 0）　　printf（“%s is ready ！rn”， VERSION_STRING）; 　　else IFARG0（“mr”） { 　　ucChar = LC1024ReadMode（）; 　　printf（“LC1024 Mode：%bxrn”， ucChar）; 　　} else IFARG0（“mw”） { 　　sscanf（SDA（1）， “%bx”， &ucChar）; 　　LC1024WriteMode（ucChar）; 　　printf（“Mode：%bxrn”， LC1024ReadMode（））; 　　} 　　else printf（“Error command ： %s ！rn”， STD_ARG［0］）; 　　} 　　2. 测试对内部RAM读写　　（1）基本读写：　　通过写入和读出验证，可以验证整个0x1ffff可以被测试正确存储。　　（2）读写时间测试：　　循环写入0x8000字节，需要时间为：0.671s 　　循环读出0x8000字节，需要时间为： 0.671s 　　nBegin = GetClickMS（）; 　　for（i = 0; i 《 nSize; i ++） { 　　LC1024ByteRead（lnAddress + i）; 　　} 　　nEnd = GetClickMS（）; 　　printf（“Time：%drn”， nEnd - nBegin）; 　　（3）测试读写单个字节的时间：　　通过测试CS波形，可以测到对于LC1024单个字节的读写时间为：19.6us。　　读写函数为： LC1024ByreRead（）， LC1024ByteWrite（）。　　　　▲ LC1024读写单个字节时间（CS）　　测量：LC1024ByteReadDim， LC1024ByteWriteDim，读写两个字节所需要的时间为：23.2us。　　测量LC1024 CLK的波形，可以观察其中的主要延长来自于对于地址的操作。在LC1024ByteWrite（）函数中存在对于长整地址的移位操作。所以前面的时序特别长了。　　　　▲ 写操作中的CLK脉冲　　将LC1024相关函数的地址进行改造，直接将24bit的三个字节的地址通过参数输入。　　unsigned char LC1024ByteRead（unsigned long lnAddress）; 　　void LC1024ByteWrite（unsigned long lnAddress， unsigned char ucByte）; 　　void LC1024ByteReadDim（unsigned long lnAddress， unsigned char pucDim， unsigned int nSize）; 　　void LC1024ByteWriteDim（unsigned long lnAddress， unsigned char *pucByte， unsigned int nSize）; 　　改造后的读写速度波形为：　　　　▲ 读写LC1024的CS和CLK波形　　此时，读写一个字节所需要的时间为7.86us。　　直接对长整地址移位所消耗的时间测量：　　下面是测量的数据：　　　　▲ 地址移位所消耗的时间　　测试的代码：　　OFF（LC1024_CS）; 　　lnAddress = lnAddress 》》 8; 　　ON（LC1024_CS）; 　　结论　　测试了23LC1024的基本的SPI模式的读写性能，这对于一般的数据缓存是满足的。　　但是在高速数据采集过程中，高达20多微妙的访问时间受限。这需要通过芯片的SQI多数据线模式来提高访问速度。　　还是受限于8051这个单片机的内核，使得该芯片的高速性能无法进一步提高了。将MCU更换成ARM的32位单片机则可以实质提高提高速度。

2021-10-22 14:22:29 评论举报李四民