如何去实现STM23F4的FLASH读取

　　简述
　　STM32F4XX的闪存擦除方式分为两种：扇区擦除（最小单元16K）和整片擦除。在实际应用中，为满足重要信息的存储，需将信息存入FLASH中，针对以上两种擦除方式，扇区擦除更符合实际的需要。
　　参考手册：
　　
　　写FLASH操作
　　
　　经过以上五个步，就可以擦除某个扇区。但是实际运用过程中，一个扇区只存储一个信息或标志，会造成资源严重浪费。现采用缓存的方式，先读取当下扇区的数据，将读取的数据和要写入的数据组合，待擦除后再次写入。
　　代码片
　　写FLASH操作
　　/*
　　* WriteAddr： 起始地址 （u32）address 是 4 的整数倍， （u32）data
　　* pBuffer： 数据指针
　　* NumToWrite：字（u32）数
　　*/
　　void STMFLASH_Write（u32 WriteAddr，u32 *pBuffer，u32 NumToWrite）
　　{
　　FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
　　u32 addrx=0;
　　u32 endaddr=0;
　　if（WriteAddr《STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4）return; //非法地址
　　FLASH_Unlock（）;//解锁
　　FLASH_DataCacheCmd（DISABLE）;//FLASH擦除期间，必须禁止数据缓存
　　addrx=WriteAddr; //写入起始地址
　　endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入结束地址
　　if（addrx《0X1FFF0000） //是否为主存储区
　　{
　　while（addrx《endaddr） //对非0XFFFF FFFF 的地方，先擦除
　　{
　　if（STMFLASH_ReadWord（addrx）！=0XFFFFFFFF）//对非0XFFFF FFFF 的地方，先擦除
　　{
　　status=FLASH_EraseSector（GetSector（addrx），VoltageRange_3）;//VCC=2.7~3.6V之间！！
　　if（status！=FLASH_COMPLETE）break; //异常
　　}else addrx+=4;
　　}
　　}
　　if（status==FLASH_COMPLETE）
　　{
　　while（WriteAddr《endaddr）//写数据
　　{
　　if（FLASH_ProgramWord（WriteAddr，*pBuffer）！=FLASH_COMPLETE）//写入数据
　　{
　　break; //写入异常
　　}
　　WriteAddr+=4;
　　pBuffer++;
　　}
　　}
　　FLASH_DataCacheCmd（ENABLE）;//FLASH擦除结束，开启数据缓存
　　FLASH_Lock（）;//上锁
　　Printf（“Flash status ：%drn”，status）;
　　}
　　数据流存储
　　#define SectorLen 128 //数据长度 128 * 4 = 512 结合实际需要长度调整
　　/*
　　* （u32）address 是 4 的整数倍， （u32）data
　　* FreeStart（ 0x08008000 ）~FreeEnd（ 0x08010000 ）
　　*/
　　void SaveDataToFlash（ u32 address， u32 data ）
　　{
　　FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
　　u32 site［SectorLen］ = {FreeStart}， FlashBuffer［SectorLen］ = {0};
　　for （ u8 i = 0; i 《 SectorLen; i ++ ）//读取扇区数据，随即擦除
　　{
　　// if （ STMFLASH_ReadWord（ site［i］ ） ！= 0XFFFFFFFF）//0XFFFFFFFF代表无数据
　　{
　　FlashBuffer［i］ = STMFLASH_ReadWord（ site［i］ ）;
　　site［ i + 1 ］ = site［i］ + 4;
　　if （ address == site［i］ ）
　　FlashBuffer［i］ = data;
　　}
　　}
　　FLASH_Unlock（）;//解锁
　　FLASH_DataCacheCmd（DISABLE）;//FLASH擦除期间，必须禁止数据缓存
　　status = FLASH_EraseSector（ GetSector（ address ）， VoltageRange_3 ）;//VCC=2.7~3.6V之间！！
　　if （ status == FLASH_COMPLETE ）
　　{
　　for （u8 i = 0; i 《 SectorLen; i ++）
　　{
　　if （ FLASH_ProgramWord（ site［i］， FlashBuffer［i］ ） ！= FLASH_COMPLETE ）//写入数据
　　{
　　break; //写入异常
　　}
　　}
　　}
　　FLASH_DataCacheCmd（ENABLE）; //FLASH擦除结束，开启数据缓存
　　FLASH_Lock（）;//上锁
　　Printf（“Save status = %drn”，status）;
　　// return addr;
　　}
　　读FLASH操作
　　STM23F4 的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr，读取一个字（字节为 8位， 半字为 16 位，字为 32 位），可以通过如下的语句读取：data=（vu32）addr;
　　将 addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
　　代码片
　　/*
　　*faddr ：读地址
　　*return：对应数据
　　*/
　　u32 STMFLASH_ReadWord（u32 faddr）
　　{
　　return *（vu32*）faddr;
　　}
　　//读FLASH操作
　　/*
　　* ReadAddr ：起始地址 （u32）address 是 4 的整数倍， （u32）data
　　* pBuffer ：数据指针
　　* NumToRead ：字（4位）数
　　*/
　　void STMFLASH_Read（u32 ReadAddr，u32 *pBuffer，u32 NumToRead）
　　{
　　u32 i;
　　for（i=0;i《NumToRead;i++）
　　{
　　pBuffer［i］=STMFLASH_ReadWord（ReadAddr）;//读取4个字节
　　ReadAddr+=4;//偏移4个字节
　　}
　　}
　　调试注意事项
　　在FLASH读写操作时，未使用数据类型（u32），致读到的数据一直为：-1（0xFFFF FFFF 默认值，即该地址写数据失败） ；
　　主存储区《0x0800 0000 ~ 0x080F FFFF》，存储数据地址小于0x0800 0000，存储出错，主控无响应。在写操作时，一定要保证其 Address 有效！