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MOS管的漏电流

2021-10-12 16:45:51 10189 MOS管

0 MOS管的漏电流在微型可穿戴设备中，对于电池的功耗要求很高，所以为了省电，其实电路也是很多的，最省电的无疑就是直接断开电池的供电了。这种方案要用到一个NMOS和一个PMOS组合使用，NMOS作为下管控制PMOS的输出。 NMOS和PMOS本身也是需要消耗电流的，重点关注NMOS和PMOS的两个漏电流参数IGSS和IDSS，一般小于多少才算是极低的漏电流？ 0 PMOS管IGSS& IDSS漏电流.png (107.69 KB, 下载次数: 2) PMOS管 IGSS&IDSS漏电流.png (253.71 KB, 下载次数: 0)
2021-10-12 16:45:51　　 1 评论淘帖0 举报相关推荐 • MOS管的漏电流是什么意思 5836 • MOS管漏电流太大引起错误触发问题 25203 • MOS管泄漏电流,各种漏电流及减小泄露方法介绍 559 • MOS管泄漏电流的类型和产生原因 1802 • MOS晶体管漏电流的6个原因 11886 • MOS管的导通电压与漏电流关系 710 • 大电流MOS管阵列 5 • mos管的箭头表示什么？mos管电流方向与箭头 6628 • mos管小电流发热的原因 992 • 探究MOS晶体管中各种类型的泄漏电流的原因 8909 1 条评论 99714836 2021-10-13 11:04 其实是有电子器件都会有漏电流情况，只是多少而已，像NMOS和PMOS本身也会需要消耗电流的，其数值大小取决于器件制造本身所确定的，重点是NMOS和PMOS的漏电流参数IGSS和IDSS，一般实际在线应用能够不大于出厂参数就算已经是极低的漏电流了，即使这样也还是需要在电路实际制作中加以控制和适当调整至最佳状态。赞回复举报 2 个讨论

0 其实是有电子器件都会有漏电流情况，只是多少而已，像NMOS和PMOS本身也会需要消耗电流的，其数值大小取决于器件制造本身所确定的，重点是NMOS和PMOS的漏电流参数IGSS和IDSS，一般实际在线应用能够不大于出厂参数就算已经是极低的漏电流了，即使这样也还是需要在电路实际制作中加以控制和适当调整至最佳状态。

2021-10-13 11:04:42 2 评论举报 1^# 99714836 2 条评论张程明 2021-10-15 19:13 取决于VGS&VDS？还有Ron？赞回复举报张程明 2021-10-15 19:13 取决于VGS、VDS？还有Ron？赞回复举报