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编辑-Z DH2F100N6S在DH2F-2封装里采用的2个芯片,是一款快恢复模块。DH2F100N6S的浪涌电流Ifsm为2000A,漏电流(Ir)为1mA,其工作时耐温度范围为-40~170摄氏度。DH2F100N6S采用GPP硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。DH2F100N6S的电性参数是:正向电流(Io)为100A,反向耐压为600V,正向电压(VF)为1.3V,其中有2条引线。 DH2F100N6S参数描述 型号:DH2F100N6S 封装:DH2F-2 特性:快恢复模块 电性参数:100A600V 芯片材质:GPP硅芯片 正向电流(Io):100A 芯片个数:2 正向电压(VF):1.3V 浪涌电流Ifsm:2000A 漏电流(Ir):1mA 工作温度:-40~+170℃ 引线数量:2 DH2F100N6S快恢复模块封装系列。它的本体长度为92mm,宽度为27mm,高度为17.3mm,脚间距为35mm。DH2F100N6S适用于高速和大功率转换器、焊机,各种开关和电信电源,这种二极管模块非常适合电源转换器。 以上就是关于DH2F100N6S-ASEMI快恢复模块DH2F100N6S的详细介绍。ASEMI品牌在整流桥和二极管领域已有12年的专业经验,供应全系列高品质,高性能的整流桥和二极管产品。 |
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