完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>
|
|
相关推荐
1个回答
|
|
SiC和GaN具有的优势主要有下面4个:
首先,宽禁带半导体具有卓越的dV/dt切换性能,这意味着开关损耗非常小。这使得高开关频率(SiC为50 kHz至500 kHz,GaN为1 MHz以上)成为可能,结果有助于减小磁体体积,同时提升功率密度。 二是,电感值、尺寸和重量能减少70%以上,同时还能减少电容数量,使最终转换器的尺寸和重量仅相当于传统转换器的五分之一。 三是无源元件和机械部件(包括散热器)的用量可节省约40%,增值部分则体现在控制电子IC上。 四是宽禁带半导体对高结温具有超高的耐受性,这种耐受性有助于提升功率密度,减少散热问题。 |
|
|
|
只有小组成员才能发言,加入小组>>
22622个成员聚集在这个小组
加入小组761 浏览 1 评论
12412 浏览 0 评论
5870 浏览 3 评论
17661 浏览 6 评论
2690 浏览 1 评论
989浏览 1评论
959浏览 1评论
3513浏览 1评论
784浏览 1评论
1338浏览 0评论
小黑屋| 手机版| Archiver| 电子发烧友 ( 湘ICP备2023018690号 )
GMT+8, 2024-11-10 13:28 , Processed in 0.583628 second(s), Total 46, Slave 39 queries .
Powered by 电子发烧友网
© 2015 bbs.elecfans.com
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 (电路图) 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证:合字B2-20210191 工商网监 湘ICP备2023018690号