《炬丰科技-半导体工艺》化学沉积的镉薄膜的生长工艺

炬丰科技

2021-7-16 14:51:53

1717 半导体工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：化学沉积的镉薄膜的生长工艺

编号：JFKJ-21-031

作者：炬丰科技

介绍

二元 II-VI 半导体是由元素周期表第 II 族和第 VI 族独有的元素组成的化合物。硫化镉 (CdS)、硒化镉 (CdSe) 和碲化镉 (CdTe) 是用于各种光电应用的有前途的材料，包括光电导、光致发光、电致发光和光伏器件。半导体薄膜具有高光吸收系数（因此光可以被薄至几微米的层吸收）和电特性，可以通过掺杂杂质在很宽的范围内轻松控制......多种薄膜沉积威廉希尔官方网站适用于生产 CdS 光伏器件质量层。这些包括喷雾热解、蒸发、溅射、金属有机化学气相沉积 (MOCVD)、化学浴沉积 (CBD) 和电沉积 (Chopra & Das, 1983)。表 1 显示了这些沉积威廉希尔官方网站的一些相对优势和劣势的比较。通过这些方法制备的薄膜在晶体结构、晶粒尺寸和结构缺陷方面可能存在显着差异。

化学浴沉积 (CBD) 是一种溶液生长工艺，可实现低温沉积、与基材的化学相互作用以及离子前体相互作用。CdS 薄膜是通过充分溶解的前体在有利于沉积在基板上的条件下反应形成的。待沉积材料的单位种类 (Cd") 以离子形式存在 (例如 CdAcj) 并分散在水性介质中。这种化学浸渍威廉希尔官方网站包括将基材浸入反应混合物中一段时间，具体取决于所需的厚度。

2. 半导体物理

重要的是要了解半导体的特性，以便将理论与推动该领域大部分研究的应用联系起来。本节的主要重点是回顾半导体理论的那些方面，与被检查材料的光学和电学特性相关。

2.1 半导体能带理论 略

2.2 有效质量 略

2.3 孔略

2.4 内在和外在半导体 略

2.5 载体生成与重组 略