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UFS 3.0闪存与UFS 2.1闪存相比,其读写速度有着大幅度的提高,其中顺序读取速度提升近3倍,顺序写速度提升9倍,乱序读速度略有提升,乱序写速度提升9倍以上。
从数据对比来看,FUS 3.0相较之前的UFS 2.1在写入速度有着较大的提升,这意味着以后无论是拷贝电影还是安装应用都会在速度方面都会有质的飞跃。 |
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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