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你看起来好像还没有理解什么是失调电压，应该要怎么找到失调电压。。。。。
那我问你，在14楼你发的OUT输出波形里，只看比较器的输出波形，你能一眼就分辨出某一段高电平里，哪一部分是复位电平，哪一部分是比较结果吗？不结合CLK的波形，你是分辨不出来的。比较器，我们关心的只是比较结果，根本不需要你的复位信息。 比如你第一次CLK为高电平，比较器复位，第一次CLK为低电平，比较器开始比较，那么在第一次CLK低电平的末尾，比较器肯定能输出一个比较稳定的判定结果了。那用一个DFF。那以第二次CLK的高电平来采样这个判定结果，是不是在第二个CLK周期内，DFF的输出都是第一个CLK周期判定的结果？不会出现有电平复位的情况？这就是DFF的作用，DFF只在CLK上升沿有效。经过DFF，是不是比较器的输出波形就从一个带有复位信息的波形，变成一个只有比较结果的理想波形。这样你随便输入信号，比较的结果一眼就能看出，这是DFF的意义。DFF前的理想比较器，只是把你OUT带有毛刺的波形变成一个没有毛刺的波形而已，方便DFF处理。只是比较的结果和真正的输入信号差了可能有半个周期。 再来说失调电压，你知道2mV的失调电压意味着什么吗？就是VIN+和VIN-之间的差值要大于2mV，比较器输出才会判定为逻辑高。如果没有失调电压，VIN+只要大于VIN-，哪怕只有1uV，输出都是逻辑高。所以我们怎么找失调，就是让VIN+从一开始就小于VIN-，那么比较器一开始输出就会是逻辑低，然后一点一点增大VIN+，增大到某一个点，有且仅有这一个点，会使输出变成逻辑高。这个点在哪？理想就是VIN+=VIN-的时候啊，没有失调。那如果存在失调就变成VIN+ + VOS = VIN-，VOS可以是正的，可以是负的。怎么找这个VOS，就是用斜坡啊，当比较器输出出现唯一的逻辑低电平到逻辑高电平的上升沿时，这个翻转点对应的输入信号电压差，就是你的VOS。 至于公式就是在描述这个找VOS的方法。按照上面的描述，corss意味着找到DFF输出出现第一个上升沿时对应的时间点，上升沿判定的标准就是翻转阈值点，一般是vdd/2=1.65V。value意味着找到在某个时间点处某个信号的值，公式的意思就是找在DFF输出上升沿处，输入信号的电压差是多少。不仿MC，算出来的VOS应该就是无限接近0，如果不是那就有问题。另外，clip我觉得没必要，直接用DFF的输出瞬态信号就可以了。 我觉得吧你理解一个电路，先自己分析一下电路，然后尝试半个周期半个周期，一步一步慢慢画出来各个关键节点处的瞬态波形应该是怎样的，然后你再去仿电路，看看得到的波形和你分析的波形是不是一致的，一致就说明是对的，不一致就debug，看是你想错了，还是电路搭错了。 |
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1 条评论
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看起来似乎有mc，但是sigma小的太夸张了，明显不对吧？！
1、有的工艺库要仿真MC的话，要换带有MC参数的MOS管才可以。 2、要加对应的MC模型。 3、你的测试信号加的对不对？电路搭的不对也是白瞎啊。 |
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感觉你把仿真次数增加到1000或者5000之类的就好了吧。正态曲线的样子都已经出来了。
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CMP的common 電壓只有0.1V?
RAMP的起始點不用設那麼大 (-20mV -> 1~2mV) (但如果你預期地的電路OFFER有這麼大的話請忽略我.....) 要跑夠久的時間才可以, 具體的時間就是看你希望每次CMP出來一筆值時你的RAMP上升多少 那個就是你的解析度(我猜你第一張圖X軸應該是時間,那你就是根據那個時間還有你設定的解析度逆推回去就可以知道了)。 |
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