看完这一篇，你就明白IGBT是什么了？

　　回流焊的注意事项
　　1.桥联回流焊
　　焊接加热过程中也会产生焊料塌边，这个情况出现在预热和主加热两种场合，当预热温度在几十至一百度范围内，作为焊料中成分之一的溶剂即会降低粘度而流出，如果其流出的趋势是十分强烈的，会同时将焊料颗粒挤出焊区外的含金颗粒，在熔融时如不能返回到焊区内，也会形成滞留的焊料球。除上面的因素外，SMD元件端电极是否平整良好，电路线路板布线设计与焊区间距是否规范，阻焊剂涂敷方法的选择和其涂敷精度等都会是造成桥联的原因。
　　2.立碑元件浮高（曼哈顿现象）
　　片式元件在遭受回流焊急速加热情况下发生的翘立，这是因为急热使元件两端存在温差，电极端一边的焊料完全熔融后获得良好的湿润，而另一边的焊料未完全熔融而引起湿润不 良，这样促进了元件的翘立。因此，回流焊加热时要从时间要素的角度考虑，使水平方向的加热形成均衡的温度分布，避免回流焊急热的产生。
　　防止元件翘立的主要因素有以下几点：
　　①选择粘接力强的焊料，焊料的印刷精度和元件的贴装精度也需提高；
　　②元件的外部电极需要有良好的湿润性和湿润稳定性。推荐：温度40℃以下，湿度70％RH以下，进厂元件的使用期不可超过6个月；
　　③采用小的焊区宽度尺寸，以减少焊料熔融时对元件端部产生的表面张力。另外可适当减小焊料的印刷厚度，如选用100μm；
　　④焊接温度管理条件设定也是元件翘立的一个因素。通常的目标是加热要均匀，特别在元件两连接端的焊接圆角形成之前，均衡加热不可出现波动。
　　3.润湿不 良
　　润湿不 良是指回流焊焊接过程中焊料和电路基板的焊区（铜箔）或SMD的外部电极，经浸润后不生成相互间的反应层，而造成漏焊或少焊故障。其中原因大多是焊区表面受到污染或沾上阻焊剂，或是被接合物表面生成金属化合物层而引起的。譬如银的表面有硫化物、锡的表面有氧化物都会产生润湿不 良。另外焊料中残留的铝、锌、镉等超过0．005％以上时，由于焊剂的吸湿作用使活化程度降低，也可发生润湿不 良。因此在焊接基板表面和元件表面要做好防污措施。选择合适的焊料，并设定回流焊合理的焊接温度曲线。

　　IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT（双极结型晶体三极管） 和 MOS（绝缘栅型场效应管） 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。
　　
　　IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。
　　
　　IGBT是能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的“CPU” 。采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑威廉希尔官方网站 。
　　
　　IGBT是以GTR为主导元件，MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极，分别为G-栅极，C-集电极，E-发射极。
　　
　　在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。
　　1）当IGBT栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消失，IGBT呈关断状态。
　　2）当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处于反偏，IGBT呈反向阻断状态。
　　3）当集-射极电压UCE＞0时，分两种情况：
　　若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态。
　　若栅-射极电压UGE＞Uth ，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从P+区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降低。
　　IGBT各世代的威廉希尔官方网站 差异
　　回顾功率器件过去几十年的发展，1950-60年代双极型器件SCR，GTR，GTO，该时段的产品通态电阻很小；电流控制，控制电路复杂且功耗大；1970年代单极型器件VD-MOSFET。但随着终端应用的需求，需要一种新功率器件能同时满足：驱动电路简单，以降低成本与开关功耗、通态压降较低，以减小器件自身的功耗。1980年代初，试图把MOS与BJT威廉希尔官方网站 集成起来的研究，导致了IGBT的发明。
　　1985年前后美国GE成功试制工业样品（可惜后来放弃）。自此以后， IGBT主要经历了6代威廉希尔官方网站 及工艺改进。
　　
　　从结构上讲，IGBT主要有三个发展方向：
　　1）IGBT纵向结构：非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型；
　　2）IGBT栅极结构：平面栅机构、Trench沟槽型结构；
　　3）硅片加工工艺：外延生长威廉希尔官方网站 、区熔硅单晶；
　　
　　其发展趋势是：①降低损耗 ②降低生产成本
　　总功耗＝ 通态损耗 （与饱和电压 VCEsat有关）+开关损耗 （Eoff Eon）。同一代威廉希尔官方网站 中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾，互为消长。
　　
　　IGBT模块按封装工艺来看主要可分为焊接式与压接式两类。高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主，中低压IGBT模块则出现了很多新威廉希尔官方网站 ，如烧结取代焊接，压力接触取代引线键合的压接式封装工艺。
　　随着IGBT芯片威廉希尔官方网站 的不断发展，芯片的最高工作结温与功率密度不断提高， IGBT模块威廉希尔官方网站 也要与之相适应。未来IGBT模块威廉希尔官方网站 将围绕 芯片背面焊接固定 与 正面电极互连 两方面改进。模块威廉希尔官方网站 发展趋势：
　　无焊接、 无引线键合及无衬板/基板封装威廉希尔官方网站 ；
　　内部集成温度传感器、电流传感器及驱动电路等功能元件，不断提高IGBT模块的功率密度、集成度及智能度。
　　
　　IGBT的主要应用领域
　　作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT已广泛应用于工业、 4C（通信、计算机、消费电子、汽车电子）、航空航天、国防军工等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。
　　
　　1）新能源汽车
　　IGBT模块在电动汽车中发挥着至关重要的作用，是电动汽车及充电桩等设备的核心威廉希尔官方网站 部件。IGBT模块占电动汽车成本将近10%，占充电桩成本约20%。IGBT主要应用于电动汽车领域中以下几个方面：
　　A）电动控制系统 大功率直流/交流（DC/AC）逆变后驱动汽车电机；
　　B）车载空调控制系统 小功率直流/交流（DC/AC）逆变，使用电流较小的IGBT和FRD；
　　C）充电桩 智能充电桩中IGBT模块被作为开关元件使用；
　　
　　2）智能电网
　　IGBT广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端：
　　从发电端来看，风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器都需要使用IGBT模块。
　　从输电端来看，特高压直流输电中FACTS柔性输电威廉希尔官方网站 需要大量使用IGBT等功率器件。
　　从变电端来看，IGBT是电力电子变压器（PET）的关键器件。
　　从用电端来看，家用白电、 微波炉、 LED照明驱动等都对IGBT有大量的需求。
　　
　　3）轨道交通
　　IGBT器件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。交流传动威廉希尔官方网站 是现代轨道交通的核心威廉希尔官方网站 之一，在交流传动系统中牵引变流器是关键部件，而IGBT又是牵引变流器最核心的器件之一。
　　
　　IGBT国内外市场规模
　　2015年国际IGBT市场规模约为48亿美元，预计到2020年市场规模可以达到80亿美元，年复合增长率约10%。2014年国内IGBT销售额是88.7亿元，约占全球市场的1∕3。预计2020年中国IGBT市场规模将超200亿元，年复合增长率约为15%。
　　从公司来看，国外研发IGBT器件的公司主要有英飞凌、 ABB、三菱、西门康、东芝、富士等。中国功率半导体市场占世界市场的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，90％主要依赖进口，基本被国外欧美、日本企业垄断。
　　
　　国外企业如英飞凌、 ABB、三菱等厂商研发的IGBT器件产品规格涵盖电压600V-6500V，电流2A-3600A，已形成完善的IGBT产品系列。
　　英飞凌、 三菱、 ABB在1700V以上电压等级的工业IGBT领域占绝对优势；在3300V以上电压等级的高压IGBT威廉希尔官方网站 领域几乎处于垄断地位。在大功率沟槽威廉希尔官方网站 方面，英飞凌与三菱公司处于国际领先水平。
　　西门康、仙童等在1700V及以下电压等级的消费IGBT领域处于优势地位。
　　
　　尽管我国拥有最大的功率半导体市场，但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距，特别是IGBT等高端器件差距更加明显。核心威廉希尔官方网站 均掌握在发达国家企业手中，IGBT威廉希尔官方网站 集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。跟国内厂商相比，英飞凌、 三菱和富士电机等国际厂商占有绝对的市场优势。形成这种局面的原因主要是：
　　国际厂商起步早，研发投入大，形成了较高的专利壁垒。
　　国外高端制造业水平比国内要高很多，一定程度上支撑了国际厂商的威廉希尔官方网站 优势。
　　
　　中国功率半导体产业的发展必须改变目前威廉希尔官方网站 处于劣势的局面，特别是要在产业链上游层面取得突破，改变目前功率器件领域封装强于芯片的现状。
　　总的来说，在威廉希尔官方网站 差距方面有：高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上，威廉希尔官方网站 壁垒较强；IGBT芯片设计制造、模块封装、失效分析、测试等IGBT产业核心威廉希尔官方网站 仍掌握在发达国家企业手中。
　　
　　近几年中国IGBT产业在国家政策推动及市场牵引下得到迅速发展，已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链，IGBT国产化的进程加快，有望摆脱进口依赖。
　　
　　受益于新能源汽车、轨道交通、智能电网等各种利好措施，IGBT市场将引来爆发点。希望国产IGBT企业能从中崛起。