完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>
ADμC812内A/D转换器的2.5 V基准电压既可由片内提供,也可由外部基准经VREF引脚提供。若使用内部基准,则在VREF和CREF引脚与AGND之间都应当连接0.1μF电容以便去耦。这些去耦电容应放在紧靠VREF和CREF引脚处。为了达到规定的性能,建议在使用外部基准时,该基准应当在2.3 V和模拟电源AVDD之间。 由于片内基准高精度、低漂移且经工厂校准,并且当ADC使能时,在 VREF引脚会出现此基准电压。因此,在进行系统扩展时,可将片内基准作为一个2.5 V的参考电源来使用。若要把片内基准用到微转换器之外,则应在 VREF引脚上加以缓冲并应在此引脚与AGND之间连接0.1 μF电容。 在实际应用中应当特别注意,内部VREF将保持掉电直到ADC外围设备模块之一被它们各自的使能位上电为止。
|
|
|
|
只有小组成员才能发言,加入小组>>
23506个成员聚集在这个小组
加入小组1040 浏览 1 评论
1196 浏览 1 评论
12601 浏览 0 评论
5986 浏览 3 评论
17784 浏览 6 评论
1068浏览 1评论
1089浏览 1评论
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
488浏览 1评论
1042浏览 1评论
5771浏览 1评论
小黑屋| 手机版| Archiver| 电子发烧友 ( 湘ICP备2023018690号 )
GMT+8, 2025-2-2 23:32 , Processed in 0.874495 second(s), Total 74, Slave 53 queries .
Powered by 电子发烧友网
© 2015 bbs.elecfans.com
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 (电路图) 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证:合字B2-20210191 工商网监 湘ICP备2023018690号