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2021-5-20 06:47:53 783 单向可控硅

0 由于在图中的R8处，串联了一个耐压400V以上的小容量电容C5，平时没有任何静态电流。每次SCR1导通的时候，此小容量电容通过R1、R8、R9放电，延熄结束后，220V脉动直流电向此小容量电容快速充电。由于V1、V2导通时，C4上电压只有0.6V左右，要把C4上不多的电荷放掉，对于电容C5只要几千皮法即可，图中C5为3900PF／500V。三极管V1、V2构成模拟单向可控硅，一旦导通，就快速进入饱和状态，对应C2上的电荷快速被释放，结果SCR1快速关断。由于采用了模拟单向可控硅，触发电流极小，不到1微安，因此R3阻值可以取得很大，对应C4容量可以很小，让C4电荷放掉的R8支路电流也可相应降低。如果三极管V3电流放大倍数大于50，C5容量还可减小。经实验，C5取2200pF，R8取3.3MΩ，也能正常工作。图中R3取1.5MΩ，C4取l00μF，延熄时间实测68秒。所有电子元件成本约为1.58元。 0 无静态功耗触摸延熄开关电路.pdf 99 Bytes , 下载次数: 0
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