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此处介绍一种在机械行业得到广泛应用的金属接近开关电路,如附图所示。该电路由两部分组成,即高频振荡器及开关电路,其工作原理如下。
金属不靠近探头时,高频振荡器工作,振荡信号经DV1、DV2倍压整流,得到一直流电压使BG2导通,BG3截止,后续电路不工作。当有金属靠近探头时,由于涡流损耗,高频振荡器停振,BG2截止,BG3得电导通,光电耦合器4N25内藏发光管发光,光敏三极管导通接通电路,起开关作用。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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