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运放A1和A4以及外围元件构成两路振荡器,目的是给充电电池提供脉冲充电电流。A2和A3做电压比较器。上电后。假设此时充电器中有电池目。电池电压低于1.42V(此值可自行没定)。A2输出高电平,D2截止。由A1和外围元件C1、R1~R4构成的振荡器开始振荡(图中值约1Hz),LEDl随之闪亮表示正在充电。Q1工作在开关状态,以脉冲方式给电池充电,当电池被充到设定的1.42V时。比较器A2反相输入端的电压比同相输入端高。A2翻转输出低电平。通过D2将A1②脚的电位挝低。 A1停止振荡且①脚输出高电平,LED1变为常亮,Q1截止。通过R8转为浮充(R8的值决定浮充电流),此时电池已基本充满。 由于浮充电流很小,就算继续充电也不会损坏电池。 调试:断开D1任意一只引脚。找一可调稳压电源正负极对应,并接到电池触片的正负极上,将电压调至1.42伏,电位器RP先置于最低端,此时LEl)开始闪亮。然后慢慢调节RP,直至LED刚好变为长亮即可。如果电阻R9、R10、R20、R21误差不大的话,另外一路无需调试便可正常使用。最后记得恢复D1的引脚。 图中S1、S2为快慢充开关。可根据需要选择不同的充电电流,但建议用慢充以延长电池寿命。为保证控制精度。电位器R.P精密度要高,电阻R9、R10、R20和R21误差婴小。电池触片要保证接触良好否则易造成欠充。改变R1或C1的值可改变振荡频率。 该电路用一小块万能板制作,所有阻容元件均用贴片的,R7和R18分别用4个100Ω,0805封装的电阻并联而成。其他元件无特殊要求。 (520101)
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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