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2021-5-13 06:43:22 799 晶体管单极型

1. 晶体管的结构及类型

晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称为场效应管。
晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区）形成的两个 PN 结（发射结和集电结）组成，分别从三个区引出三个电极（发射极e、基极b 和集电极c）。
晶体管根据掺杂类型不同，可分为 NPN 型和 PNP 型两种；根据使用的半导体材料不同，又可分为硅管和锗管两类。
晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。
2. 电流分配与放大作用
体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。在这种偏置条件下，发射区的多数载流子扩散到基区后，只有极少部分在基区被复合，绝大多数会被集电区收集后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压，可以达到控制集电极电流的目的。
晶体管的电流分配关系如下：

其中电流放大系数α和β之间的关系是α=β/(1＋β)，β= α/（1－α）ICBO是集电结反向饱和电流，ICEO是基极开路时集电极和发射极之间的穿透电流，并且ICBO =(1＋β)ICBO。
在放大电路中，通过改变 uBE ，改变IB或IE，由 ΔIB 或 ΔiE 产生 ΔiC ，再通过集电极电阻 RC ，把电流的控制作用转化为电压的控制作用，产生 ΔuO = ΔiCRC 。实质上，这种控制作用就是放大作用。
3. 晶体管的工作状态
当给晶体管的两个 PN 结分别施加不同的直流偏置时，晶体管会有放大、饱和和截止三种不同的工作状态。这几种工作状态的偏置条件及其特点如表 2.1 所列。
表 2.1 晶体管的三种工作状态



	U C > U B > U E	U C < U B < U E	I C = βI B
发射结正偏，集电结正偏	U B > U E,U B > U C	U B < U E,U B < U C	uCE = U CES
发射结反偏，集电结反偏	U B < U E,U B < U C	U B > U E,U B > U C	I C =0

4. 伏安特性及主要参数
(1)共射极输入特性 （以 NPN 管为例）
输入特性表达式为:IB=f(UBE)|UCE。当UCE=0 时，输入特性相当于两个并联二极管
的正向特性。当UCE> 0 时，输入特性右移,UCE ≥ 1V 后输入特性基本重合。
因为发射结正偏，晶体管的输入特性类似于二极管的正向伏安特性。
(2)共射极输出特性 （以 NPN 管为例）
共射极输出特性表达式为：

。

晶体管输出特性曲线的三个区域对应于

晶体管的三个工作状态（饱和、放大和截止）。
a)饱和区：此时UCE很小，集电区收集载流子的能力很弱。 IC主要取决于UCE，而与 i B 关系不大。
b)放大区：位于特性曲线近似水平的部分。此时，IC主要取决于IB，而与UCE几乎无关。
c)截止区：位于IB=-ICBO 的输出特性曲线与横轴之间的区域。此时,IC几乎为零。
(3)主要参数
a)直流参数：共基极直流电流放大系数α，共射极直流电流放大系数β；集电极—基极间反向饱和电流ICBO，集电极—发射极间穿透电流ICEO。
b)交流参数：共基极交流电流放大系数α，共射极交流电流放大系数 β，其中，；共基极截止频率fα，共射极截止频率fβ，特征频率 fT，其中 fα>fβ>fβ。
c)极限参数:集电极最大允许功率耗散PCM,集电极最大允许电流ICM;
反向击穿电压U(BR)CEO，U(BR)EBO，U(BR)CBO 。
(4)温度对参数的影响
温度每增加1℃ ，UBE将减小 (2~2.5)mV ；温度每增加 10 ℃ 左右，ICBO增加一倍；温度每增加1℃ ，β增大(0.5 ～ 1) % 。