完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦， 立即完善>
3天内不再提示
电子发烧友论坛|
为了提高功放电路的输出功率，保证电路安全工作，通常有两种方法，一是采用大功率半导体器件（功率管)，二是提高功率器件的散热能力。
1．三种常用的 功率器件的比较 双极型功率晶体管(BJT)、功率 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT )是三种常用的功率器件，它们的特点如表 9 .2 所列。 表 9.2 三种常用的 功率器件的比较
功率管良好的散热是保证功率放大器正常工作的重要条件,散热的好坏通常用热阻的大小来描述。热阻RT定义为每1W的集电极耗散功率使晶体管的结温升高的度数，即 热阻RT越小，散热条件越好。功率管最大允许的管耗PCM与热阻大小、工作环境温度有关，即 式中，TjM表示PN结的最高允许结温;Tα表示功率管的工作环境温度。 
0
|
|
|
最近下载过的用户(3)
|
|
只有小组成员才能发言，加入小组>>
23494个成员聚集在这个小组
加入小组1031 浏览 1 评论
1186 浏览 1 评论
12593 浏览 0 评论
5980 浏览 3 评论
17776 浏览 6 评论
1060浏览 1评论
1082浏览 1评论
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
480浏览 1评论
1033浏览 1评论
5763浏览 1评论
/6 
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
1594
淘帖
1439
