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Vout=(R3+VR1+R4)(Vref+Vbe2)/(VR1+R4)
式中Vref是稳压二极管的电压(5.1V),VBE2是晶体三极管Tr2基极发射极间的电压(0.65V>,VR1是可变电阻。由于VR1的阻值变化范围是0~5kΩ,所以输出电压的变化范围为 7.6~12.8V。当VR1的滑动部分接触不良时,输出电压会变为最小电压。 调整管Tr1的最大消耗功率为3A×(15V-8V)=21W,所以应安装在4℃/W以下的散热器上。由于VBE2会随温度和IC2的变化而变化,所以该稳压电路和稳压特性不是太好。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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