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无线调频话筒的电路原理图如下图所示,其中LC参数是决定电路是否振荡及发射频率高低的重要因素,尤其是谐振回路中的L与C3,它决定着调频发射频率,是制作成功与否的关键。笔者经过理论推导,精密测量并安装验证。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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