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本电路是利用555控制端（Vc）5脚的电压高低，改变其振荡频率和占空比的压控式多谐振荡器。555和R1、R2、C1等组成无稳态多谐振荡器。其控制端通过RP1可改变其控制电压的高低，对芯片内比较器A1的反相端电...
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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