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MAX2170采用6mmx6mm、40引脚QFN封装，工作在-40℃至+85℃温度范围。工作在2.7V至3.3V电源电压下，在L频段低功耗模式下消耗150mW（典型值）的功率。除了晶振和某些应用所需的L频段滤波器（可选的）以外，器件包含了构建低中频电视/广播调谐器所需的所有模块。器件具有在L频段-101dBm、在VHF频段-99dBm以及在FM频段-109dBm的灵敏度。具有固定的分频比为1。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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