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超小型封装(0.75 x 0.75 x h0.3mm)，最大输出电流300mA，输入电压范围为1.6V～5.5V。输出电压范围为1.2V～4.0V，在范围内能以0.05V的间隔设定。输入输出电位差为160mV（IOUT=300mA，输出电压为3.0V时）。纹波抑制率达到80dB（1kHz时），实现了高纹波抑制。保护电路具备限定电流、短路保护、过热保护及防止浪涌电流的功能。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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