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研究了热老化及老化过程对高分子PTC材料电阻值的影响,电老化对耐流、耐压、耐雷击等电性能的影响。结果表明,不同的热老化条件可使高分子PTC材料电阻值发生不同程度的变化,电老化可有效改善其电性能。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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