如何用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限？

1138 EEPROM 存储器

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2021-3-18 06:00:25　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 16 个回答。邀请回答 ChristineGu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 dfasda 该类别下有 15 个回答。邀请回答 nhonglan 该类别下有 15 个回答。邀请回答 yonglanzhang 该类别下有 15 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 14 个回答。邀请回答 jhdfvs 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 14 个回答。邀请回答 muwersddg 该类别下有 14 个回答。邀请回答杀狼000 该类别下有 14 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 14 个回答。邀请回答飞雪9366 该类别下有 13 个回答。邀请回答 billbian 该类别下有 13 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hrtuoyu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 13 个回答。邀请回答 thyysbk 该类别下有 13 个回答。邀请回答凡人wlj 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kszdj113 该类别下有 13 个回答。邀请回答举报毛春华相关推荐 • 如何用存储器映射的方法实现片外FLASH的擦写？ 1724 • 如何提高MSP430G系列单片机的Flash擦写寿命？ 2040 • MSP430G系列单片机的Flash擦写寿命怎么提高？ 1278 • 如何提高MSP430G系列单片机的Flash擦写寿命？ 1523 • 什么是EEPROM存储器？ 1317 • Flash存储器的使用寿命有什么办法延长吗？ 3900 • EEPROM数据存储器操作方式有哪几种？ 1552 • 如何提高MSP430G单片机的Flash擦写寿命方法 1406 • 计算机中的存储器有何用途呢 1794 • 如何识别哪些地址用于我的EEPROM存储器？ 2818 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　一般地，EEPROM存储器（如93C46/56/66系列）的擦写次数为10万次，超过这一极限时，该单元就无法再使用了。但在实际应用中，可能有些数据要反复改写。这时，可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。　　我们有一个单字节的数据要保存在E2PROM（93C56）中，可按以下方法来做：　　1、将93C56的00H单元定义为地址指针存放单元。　　2、将要寻址的单元地址（假设为01H）放入93C56的00H地址中。　　3、每次要对E2PROM中的数据进行读写时，先读取00H中的数据，并以读出的值为地址，访问其指向的单元。　　4、在每次写完数据后，立即将数据再读出，并与写入的地址做比较。　　A、如果相等，则代表本次写入数据成功。　　B、如果不相等，则代表本次写入数据失败。这时，将00H中的值+1，让其指向后一个新的地址单元，再将数据写入新的地址单元。　　93C56共有128个字节单元，按照以上方法，可将数据的擦写次数提升120多倍！达到1200多万次！　　对于24C16/32/64系列的芯片，也可采用这种方法。　　补充二点　　1. EEPROM单元坏与不坏界线很是模糊。 EEPROM单元能写入信息是因为它的浮栅能俘获电子并将其困在其中。但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸，所以说EEPROM保持信息是有一定年限的（比如100年）。写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子，电子能量比较高，可能改变周围的晶格结构，导致浮栅俘获电子能力的下降，也就是表现为保存信息的时间变短，所以才会有一个保守的写入次数限制（这里说保守是因为半导体的离散性大，实际的次数大得多）。到了规定写入次数并不是说该单元就坏了，而是说该单元保持信息的时间已不可信赖（而实际上它可能还能保存相当长时间甚至几十上百年），所以实际上短时间很难判定某个单元是否可用（坏了）。如匠人的方法检测，写入时测试好好的，可能几秒钟之后该单元的数就逃了。　　2. 写坏一个单元是很费时间的， “这个方法，小匠使用过多次，证明是可行的。不知匠人在使用过程中是否碰到过有写坏的情况。［/td］

2021-3-19 14:05:15 评论举报向芹