单片机内部FLASH的字节怎么操作？

　　一般32位单片机的内部FALSH是不支持字节操作的，有的可以按字节读取，但是不能按字节写入。
　　而且，一般单片机内部FALSH擦除的最小单位都是页，如果向某页中的某个位置写入数据，恰好这个位置的前面存了其他数据，那么就必须把这页擦除，存的其他数据也会丢失。
　　实际上就是说内部的FALSH不好做改写的操作，如果有很多数据需要存放，最好是分页存储。这也是FALSH与E2PROM最大的区别，后者支持按字节操作且无需擦除，即使某一个地址写坏了，也不影响其他地址。

　　介绍一种方法让内部FLASH“支持”字节操作，且同一页的其他数据不受影响。
　　方法原理很简单，下面简单介绍下原理：
　　1.根据要写入地址，计算出该地址位于哪一页；
　　2.读出整个页，存入缓存BUF；
　　3.将要写入的数据按位置更新到BUF中；
　　4.擦除该页；
　　5.写入整个BUF。
　　可以看出这种方法弊端很明显：
　　1.耗时长 每次写都要读整个BUF，然后还要先把数据存到BUF里，然后再写入整个BUF；
　　2.FALSH擦写次数增加，降低使用寿命；
　　下面给出测试代码：
　　#include
　　#include
　　#include //C语言标准库
　　#include “flash.h”
　　#define USER_FLASH_START_ADDR 0x01070000 //FLASH最后两个扇区 供用户使用
　　u32tou8 u32data;//定义一个联合体
　　//==================================================================================
　　// 获取某个地址所在的页首地址
　　// addr:FLASH地址
　　// 返回：该地址所在的页 共128页（0~127）
　　//==================================================================================
　　unsigned int FLASH_GetFlashPage（unsigned int addr）
　　{
　　if （IS_FLASH_ADDRESS（addr））
　　{
　　return （addr&（~0xFFF））;//清0低12位就是该页的起始地址
　　}
　　}
　　//==================================================================================
　　// 从FLASH中读取 一个字（32位）
　　// addr：读取地址
　　// 返回： 读到的字数据
　　//备注： 地址为4字节对齐
　　//==================================================================================
　　unsigned int FLSAH_ReadWord（unsigned int addr）
　　{
　　return （*（unsigned int *）addr）;
　　}
　　//==================================================================================
　　//从FLASH指定地址 读取数据
　　//备注： 读取数据类型为32位 读取地址为4字节对齐
　　//==================================================================================
　　void FLASH_Read（unsigned int ReadAddr，unsigned char *pBuffer，unsigned int NumToRead）
　　{
　　unsigned int i;
　　u32tobyte cache;
　　for（i=0; iRO = 0;//去掉所有扇区写保护
　　//==================================================================================
　　// 判断写入地址是否非法 起始地址或者结束地址不在FALSH范围内则退出
　　//==================================================================================
　　if（！（IS_FLASH_ADDRESS（startaddr）&& IS_FLASH_ADDRESS（endaddr））） return FLASH_ERROR_PG;
　　while（startaddr 《 endaddr）
　　{
　　//==================================================================================
　　//1.计算起始地址在FALSH哪一页，并获取该页的首地址
　　//2.计算起始地址在该页的偏移量
　　//3.计算该页还剩余多少字节没写入数据
　　//==================================================================================
　　pageaddr = FLASH_GetFlashPage（startaddr）;//获取起始地址所在页的页首地址
　　index = startaddr-pageaddr;//4K缓冲区内偏移地址
　　remain=4096-index;//缓存区剩余大小
　　//==================================================================================
　　// 将该页数据读入4K缓冲数组，后面读写都是对该缓冲数组操作
　　//==================================================================================
　　for（i=0;i《4096;i+=4）//读取一页到缓冲buff
　　{
　　cache.u32data=FLSAH_ReadWord（pageaddr+i）;
　　buffer［i］=cache.buf［0］;
　　buffer［i+1］=cache.buf［1］;
　　buffer［i+2］=cache.buf［2］;
　　buffer［i+3］=cache.buf［3］;
　　}
　　//==================================================================================
　　// 擦除FALSH对应的页，FLASH只能按页擦除，
　　// 这一页数据已经被读到缓冲数组中了 之前的数据也保留下来了
　　//==================================================================================
　　status = FLASH_ErasePage（startaddr）;
　　if（status ！= FLASH_COMPLETE） return status;//擦除1页 4K字节
　　//==================================================================================
　　//1.判断要写入的数据是否大于该页剩余容量（即计算写入的数据长度是否跨多页）
　　//2.将需要写入的数据转存到缓冲数据
　　//==================================================================================
　　if（NumToWrite 》 remain）//需要写入的数据量大于缓冲buf剩余字节数
　　{
　　for（i=index;i《4096;i++）//将需要写入FALSH的数据写入缓冲buff
　　{
　　buffer［i］=*（pBuffer++）;
　　}
　　NumToWrite-=remain;//需要写入的数据长度-本次已经写入的数据长度
　　startaddr+=remain;//地址向后偏移本次写入的字节数
　　}
　　else
　　{
　　for（i=index;i
　　其中还有个联合体的定义：
　　typedef union
　　{
　　unsigned int data;
　　unsigned char buf［4］;
　　}
　　u32tou8;
　　FLASH_ErasePage、FLASH_ProgramWord、IS_FLASH_ADDRESS 这三个都是单片机FLASH的库函数
　　各家单片机不同，但功能基本相同，这里不再提供源码。
　　最后提供以下两个FLASH接口即可：
　　FLASH_Write（unsigned int WriteAddr，unsigned char *pBuffer，unsigned int NumToWrite）;
　　FLASH_Read（unsigned int ReadAddr，unsigned char *pBuffer，unsigned int NumToRead）

　　演示：
　　1.为方便查看结果，测试从0x1070FFC的位置开始写入数据，FLASH地址分布如下图所示：
　　这里展示了FLASH连续两页的地址，首先将这两页全部擦除。
　　
　　2.接着从1070FFC的位置开始写入56个1，这样就保证了数据跨越了1页。
　　unsigned char write［］= {“1111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111”};
　　FLASH_Write（0x01070FFC，write，sizeof（write））;
　　
　　注意：最后的00是因为字符串的结尾字符是“”
　　3.紧接着，在0x1070FFE位置写入新的字符串，也要保证写入长度跨越1页。
　　unsigned char write2［］={“23456789”};
　　FLASH_Write（0x01070FFE，write2，sizeof（write2））;
　　
　　可以看出，0x1070FFE~0x1071006的位置被写入了新的字节，但这两页的其他位置数据保持不变。
　　1.实际使用时，如果不是受限于成本或者FLASH大小，不建议这样读写内部FLASH，以为stm32内部FLASH也就
　　10W次寿命，这样频繁擦写会大大降低FLASH寿命。
　　2.如果保存的数据不多，建议每个数据都单独存1页，这样不用考虑擦除时会把其他数据也一并擦除。