非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算

1926 EEPROM

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2020-12-31 06:11:04　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × ChristineGu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 16 个回答。邀请回答 dfasda 该类别下有 15 个回答。邀请回答 nhonglan 该类别下有 15 个回答。邀请回答 yonglanzhang 该类别下有 15 个回答。邀请回答杀狼000 该类别下有 14 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 14 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 14 个回答。邀请回答 jhdfvs 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 14 个回答。邀请回答 muwersddg 该类别下有 14 个回答。邀请回答 hrtuoyu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 13 个回答。邀请回答 thyysbk 该类别下有 13 个回答。邀请回答凡人wlj 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kszdj113 该类别下有 13 个回答。邀请回答飞雪9366 该类别下有 13 个回答。邀请回答 billbian 该类别下有 13 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 13 个回答。邀请回答举报张涵相关推荐 • 汽车系统非易失性存储器的选择 2277 • RTC慢内存存储是否消耗额外能量？ 246 • 非易失性存储器平衡的方法 2070 • EVERSPIN非易失性存储器嵌入式威廉希尔官方网站解析 2087 • 开关转换不消耗能量反而产生能量？求大神指导 1074 • 微控制器功能部件是怎样影响能量消耗和性能的？ 1332 • 如何使用GIS算法批量计算基站距离？ 1532 • 如何识别哪些地址用于我的EEPROM存储器？ 2778 • 非易失性内存有写入限制吗？ 279 • 如何把一个数组保存到非易失性存储器中 799 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　首先，我们来看看非易失性存储器在典型的3.3V EEPROM写入过程中所消耗的能量待机电流为1μA，写入时间为5 ms，写入电流为3 mA（表1）。我们假设：一旦VDD上升到工作限制内（上电时间），EEPROM就准备开始工作零）。　　　　•写入的数据量适合一页，并且使用块写入功能进行写入。　　•EEPROM的写入时间仅是执行EEPROM的写入操作所需的时间，因此我们忽略MCU和SPI接口的任何处理和通信时间。（这个假设是相反的用于MRAM的； MRAM只需要通信时间，因为写入时间很短，因此它可以被视为零。）　　•EEPROM直接由微控制器I / O供电，并使用一个小的（0.1μF）去耦电容。　　　　内存Flash消耗的能量　　内存Flash具有更高的写入和待机电流，因此我们将使用50μA的待机电流（写入时间）在我们的评估中为3 ms，写入电流为15 mA（表2）。如上所述，我们假设通电时间为零，数据适合一页，并且写入时间很长，我们可以忽略通信时间。另外，我们假设闪存写入到已擦除的页面。　　结论　　非易失性存储器的写入时间会极大地影响系统的总能耗。对于低占空比的系统，这种影响不太明显，但是随着采集速率的提高，这种影响变得更加明显。　　EEPROM和闪存的写入时间显着增加了MCU的能耗，因为它们使MCU的活动时间更长。如果在写入EEPROM和闪存完成时MCU处于睡眠模式，则可以降低能耗。但是，EEPROM或闪存消耗的能量代表了系统的大部分能耗，因此使MCU处于睡眠模式不会对总体能耗产生重大影响。很明显，通过功率门控的快速写入，非易失性存储器可以实现最低的能耗。

2020-12-31 11:51:33 评论举报王学超