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IRF7480MTRPBF晶体管 场效应MOS管
规格 FET 类型:N 通道 威廉希尔官方网站 :MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):217A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.2 毫欧 @ 132A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):185nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6680pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):96W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳:DirectFET™ Isometric ME |
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DSPIC33EP64GS504-I/ML 微控制器
一般规格 核心处理器:dsPIC 内核规格:16 位 速度:70 MIPs 连接能力:I²C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT I/O 数:35 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 大小:8K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):3V ~ 3.6V 数据转换器:A/D 19x12b; D/A 1x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:44-QFN(8x8) |
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