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1、写入/擦除bai操作du的时间不同
【nand flash】:擦除zhiNAND器件以8~32KB的块进行,执行dao同一写入/擦除的操1653作时间为4ms 【nor flash】:擦除NOR器件是以64~128KB的块进行,执行同一个写入/擦除操作的时间为5s 2、接口不同 【nand flash】:nand flash使用较为复杂的I/O口来串行地存取数据,并且各个产品或厂商的方法可能各不相同。 【nor flash】:nor flash为SRAM接口,拥有足够的地址引脚用于寻址。 3、容量成本不同 【nand flash】:NAND flash的单元尺寸大约为NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,因此价格较低。 【nor flash】:NOR flash单元尺寸较大,生产过程也较为复杂,因此价格较高。 4、耐用性不同 【nand flash】:NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次。 【nor flash】:NOR闪存中每个块的最大擦写次数是十万次。 |
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