完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>
` 01 概述图 1:100 W 降压-升压转换器的演示电路板 02 项目范围设计一款满足以下要求的升降压转换器: · 18 Vout / Vin 14-24 Vdc 时 Pout 最高为 100 WIin max. = 7 A Iout max. = 5.55 A · · 输出100W 时效率超过95% · · 符合CISPR32 Class B干扰限值(传导和辐射) · · 低输出纹波(低于 20mVpp) · · 无法屏蔽 · · 长输入和输出线缆(各1m) · · 尽可能紧凑 · · 性价比尽可能高 · 为了满足这些严格的要求,必须设计出一种电感非常低、紧凑布局,以及能够匹配转换器的滤波器。如果考虑EMC,输入和输出线缆是频率范围高达1GHz的主要天线。由于现代四开关升降压转换器在输入和输出端都具有高频电流环路,因此必须根据工作模式对输入和输出进行滤波。这可以防止由于MOSFET快速开关导致的高频干扰进入线缆并产生辐射。 图2:高频 ΔI/Δt 环路和临界ΔU/Δt开关节点电路图,具体取决于转换器工作模式 本应用使用了来自Linear Technology (Analog Devices) 的开关稳压器LT3790。其输入电压范围高达60VDC,开关频率可调,可控制四个外部MOSFET,使设计具有高度灵活性。 03 设计和测量升降压电路设计的主要特点: · 双面6层印刷电路板 · · 400kHz开关频率 · · 扼流圈中的电流纹波约为额定电流的30% · · 紧凑型60V MOSFET,具有较低的Rdson、Rth和封装ESL · · 1Ω栅极串联电阻 · 图3:转换器功率级简图 3.1.电感选择 利用REDEXPERT在线平台,可以快速、轻松、精确地选择合适的电感。在此案例中,必须先为降压操作输入一次操作参数(Vin、fsw、Iout、Vout、ΔI),再为升压操作输入一次。 在降压操作中,需求一个更大的电感以及一个更小的最大峰值电流 (7.52 µH/5.83 A)。在升压操作中,电感减小了,但最大峰值电流会增大 (4.09 µH/7.04 A)。 使用REDEXPERT选择电感的另一个好处是:可以根据不同器件复杂的交流和直流损耗、产生的器件发热以及它们的明显参数(尺寸、额定电流等),对它们进行比较。 在此案例中,选择了WE-XHMI系列屏蔽电感,电感值为6.8μH,额定电流为15A。由于采用现代制造威廉希尔官方网站
,该器件的RDC极低,尺寸极小,仅15x15x10mm(长/宽/高)。其创新的磁芯配比材料还使其具有不受温度影响的软饱和特性。 图 5:WE-XHMI 74439370068 的 REDEXPERT 仿真(降压操作) 3.2.输入电容器选择 由于流过滤波电容器的脉冲电流较高,并且要确保较低的输出纹波,因此铝聚合物和陶瓷电容器的组合成为最佳选择。一旦最大输入和输出电压纹波设置完成后,可使用以下公式计算所需电容。 选择的电容:6 x 4.7µF / 50V / X7R = 28.2 µF (WCAP-CSGP 885012209048) 使用REDEXPERT,可以轻松、快速地确定MLCC的直流偏置,得出的值更接近实际,参见图6。结果:必须考虑到输入电压为24V 时电容会减少20%;因此有效容值只有23μF,但已足够。此外,将一个 68μF/35V WCAP-PSLC铝聚合物电容器与陶瓷电容器并联使用,串联一个0.22Ω SMD电阻。这有助于转换器的负输入阻抗与输入滤波器保持稳定(更多信息请参见ANP044)。由于该电容器也会有一定量的高脉冲电流流过,因此铝电解电容器在此案例中不太适用。较高的ESR会导致该类电容器温度过高。 图6:所选MLCC的REDEXPERT阻抗、ESR和直流偏置图。 3.3.输出电容器选择 选择的电容:6 x 4.7 µF / 50 V / X7R = 28.2 µF – 15% 直流偏置 = 24 µF (WCAP-CSGP 885012209048) 另加:1个铝聚合物电容器以快速响应瞬态信号: WCAP-PSLC 220µF/25V 图7:100W升降压转换器电路图(包括所有滤波器器件) 3.4.PCB 顶层布局分析 图8:降压-升压转换器的 EMC 优化顶层布局(省略输入和输出滤波器组) 1.陶瓷滤波电容器布置紧密,使得高 △l/△t 的输入和输出环路结构非常紧凑。 2.电路中的敏感的、高阻抗的模拟部分的 AGND 覆铜表面分离且顺滑(仅 PIN30 连接到 PGND)。 3.非常靠近开关电源IC的紧凑型自举电路。 4.并联电容的电流测量连接按差分线路布线,采用干净的开尔文连接。 5.通过宽带 π型 滤波器对开关稳压器 IC 的内部电源做去耦滤波 6.为了达到电路板底部和内部PGND层的低电感和低阻抗需使用尽量多的过孔。 7.大面积覆铜可以作为良好的散热片并提供低 RDC,但不得超过必要的面积,特别是在两个“热”△U/△t 开关节点上,以免形成不必要的天线。 3.5.PCB 底层布局分析 图 9:降压-升压转换器的EMC优化底层布局,包括四个功率MOSFET、剩余的滤波电容器、并联电容和续流二极管 8.在靠近FET的位置布置陶瓷滤波电容器,使得高△l/△t的输入和输出环路结构非常紧凑。 9.几何形状布局和覆铜表面的使用意味着FET之间以及FET与并联电容之间的连接的阻抗和电感极低。 10.具反向几何形状的电容分流器,可进一步降低寄生电感;因此,HF电流环路也可减至最小。 11.由于没有其它大型器件阻碍热传导,因此PCB底面上的半导体可以得到更好的冷却。 12.超快恢复肖特基二极管紧邻相应的 开关FET布置。 13.大面积覆铜可以作为良好的散热片并提供低RDC,但不得超过必要的面积,特别是在两个“热”△U/△t开关节点上,以免形成不必要的天线。 3.6.中间层布局分析 |
|
相关推荐
|
|
偏置电路与宽带偏置电路(Bias-Tee)-----电感器比较与选择
1786 浏览 0 评论
5645 浏览 0 评论
3236 浏览 2 评论
6233 浏览 2 评论
4120 浏览 0 评论
小黑屋| 手机版| Archiver| 电子发烧友 ( 湘ICP备2023018690号 )
GMT+8, 2024-12-23 18:22 , Processed in 0.554724 second(s), Total 65, Slave 47 queries .
Powered by 电子发烧友网
© 2015 bbs.elecfans.com
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 (电路图) 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证:合字B2-20210191 工商网监 湘ICP备2023018690号