基于CY15B104Q 4-Mbit（512K x 8）的串行FRAM

2020-7-22 10:30:31 1082

0 MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board带有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，并且执行类似于SRAM的读取和写入。您可以使用行业标准串行外设接口（SPI）总线访问存储器。在功能级别上，F-RAM的运行方式与串行闪存和串行EEPROM类似。 CY15B104Q与具有相同引脚排列的串行闪存或EEPROM之间的主要区别在于F-RAM卓越的写入性能，高耐用性和低功耗 0 MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board基于CY15B104Q 4-Mbit（512K x 8）串行FRAM.pdf 418.25 KB , 下载次数: 3
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