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如何控制250V,200KHz信号的通断?
自己考虑的方案弊端: 1、用两个NMOS管分别控制正负半轴,但是NMOS管DS之间的结电容Coss导致交流信号直接导通,无法控制通断。 2、可控硅,没有找到可以承受200KHz这么高频率的可控硅器件。 还有其他方案可以选用吗? |
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2个回答
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选用高频率的可控硅器件可以达到你的要求的。
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不知道实际负载电流有多大。
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