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3天内不再提示
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我一直在尝试读写DSPIC33 EP512GM604闪存。我遵循了数据表中指定的过程。下面的代码在程序中指定的地址上运行在MPLABX模拟器上。但是当我尝试在PIC18F46K80上运行代码时，Flash读/写/擦除发生在不同的地址上。我已经硬编码了地址到0x800。当我在模拟器上运行程序时，我可以看到程序存储器的内容在0x800改变。但是当我在DSPIC33 EP512GM604上运行程序时，内容不会改变如何用按钮“读取设备存储器”从内存中读取，看看内存中会发生什么？我的源代码附在下面：[代码] [代码]
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12个回答
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我已经告诉过您两次了，我不知道如何解释这一点，但是您的PIC使用了不同的算法，而不是您实现的算法。它使用NVMSRCADR寄存器代替TBLWT。Andthis在数据表中描述：“…源数据直接从这些设备上的数据存储器（RAM）获取。已经提供了两个新的寄存器来指向SuxDeDATA驻留的RAM位置。
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Heyy，我同意你的看法，但是我们可以使用RTSP模式或RAM缓冲区HTTP：//WW1. Microchip…com……EVICEDOC/7000 05156B.PDF，
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这正是我要告诉你的。您阅读的文档不适用于您的PIC（比如您引用的文档），并且您期望您阅读的文档能够与您的PIC一起工作。所有图片都是不同的。请阅读PIC的数据表。
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实际上，你是对的，对于双字写入，它确实使用锁存器。当你写锁存器时，你应该写到0xfa0000。您可以写入0xFA0801。
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http://www1.micro..com/downloads/en/DeviceDoc/70000689c.pdfdsPIC33EPXXXGM3XX/6XX/7XX设备包含用于存储和执行应用程序代码的内部Flash程序存储器。在整个Vdd范围上正常操作期间，存储器是可读、可写和可擦除的。闪存可以通过两种方式编程：·电路内串行编程（ICSP）·运行时自编程（RTSP）
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ICSP是指由外部设备编程。你所做的就是RTSP。
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为什么要启动重复线程？应该写入缓冲区（目标），而不是0x800或0x3000。（你的程序可能在这里）缓冲区大小应该是512，而不是8，因为擦除会擦掉512条指令。对齐可以是512为方便。
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嘿，当我替换
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嗨，有人知道如何更新程序内存的内容吗？我正在向闪存写入值，并且在页满时擦除该值以存储一些运行状态，我知道写入/擦除正在工作，因为当我使用模拟器时它工作。
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嗨，我需要你的帮助。有人知道如何更新程序内存的内容吗？我正在向闪存写入值，并且在页满时擦除该值以存储一些运行状态，我知道写入/擦除正在工作，因为当我使用模拟器时它工作。
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我不会使用FLASH不断更新一些统计由于耐力。你真的需要一个EEPROM。
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也许这有帮助：Word写和行写的代码示例：CE47 8:RTSP Word WrreCeCe141：RTSP RAMPLE用于MPLAB-X和C.
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只有小组成员才能发言，加入小组>>
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