海飞乐威廉希尔官方网站 现货替换IXTH48P20P场效应管

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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息  
威廉希尔官方网站 : Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 48 A
Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 103 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 462 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: PolarP
封装: Tube
高度: 21.46 mm  
长度: 16.26 mm  
系列: IXTH48P20  
晶体管类型: 1 P-Channel  
类型: PolarP Power MOSFET  
宽度: 5.3 mm  
商标: IXYS  
正向跨导 - -小值: 19 S  
下降时间: 27 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 46 ns  
工厂包装数量: 30  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 67 ns  
典型接通延迟时间: 30 ns  
单位重量: 6.500 g

沟道的选择。为设计选择正确器件的--步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电 压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到 总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。

开关过程原理
开通过程[ t0 ~ t4 ]：
-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通;
-- [t0-t1]区间，MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs充电而上升，在t1时刻，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电;
-- [t1-t2]区间，MOSFET 的DS 电流增加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电影响不大;
-- [t2-t3]区间，至t2 时刻，MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压，Millier 电容大大增加，外部驱动电压对Millier 电容进行充电，GS 电容的电压不变，Millier 电容上电压增加，而DS电容上的电压继续减小;
-- [t3-t4]区间，至t3 时刻，MOSFET 的DS 电压降至饱和导通时的电压，Millier 电容变小并和GS 电容一起由外部驱动电压充电，GS 电容的电压上升，至t4 时刻为止。此时GS 电容电压已达稳态，DS 电压也达-小，即稳定的通态压降。

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