海飞乐威廉希尔官方网站 现货替换IXTH16P60P场效应管

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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息  
威廉希尔官方网站 : Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 16 A
Rds On-漏源导通电阻: 720 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 92 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 460 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: PolarP
封装: Tube
高度: 21.46 mm  
长度: 16.26 mm  
系列: IXTH16P60  
晶体管类型: 1 P-Channel  
类型: PolarP Power MOSFET  
宽度: 5.3 mm  
商标: IXYS  
正向跨导 - -小值: 11 S  
下降时间: 38 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 25 ns  
工厂包装数量: 30  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 60 ns  
典型接通延迟时间: 29 ns  
单位重量: 6.500 g

关断过程[ t5 ~t9 ]：
-- 在 t5 前，MOSFET 工作于导通状态， t5 时，MOSFET 被驱动关断;
-- [t5-t6]区间，MOSFET 的Cgs 电压经驱动电路电阻放电而下降，在t6 时刻，MOSFET 的通态电阻微微上升，DS 电压梢稍增加，但DS 电流不变;
-- [t6-t7]区间，在t6 时刻，MOSFET 的Millier 电容又变得很大，故GS 电容的电压不变，放电电流流过Millier 电容，使DS 电压继续增加;
-- [t7-t8]区间，至t7 时刻，MOSFET 的DS 电压升至与Vgs 相同的电压，Millier 电容迅速减小，GS 电容开始继续放电，此时DS 电容上的电压迅速上升，DS 电流则迅速下降;
-- [t8-t9]区间，至t8 时刻，GS 电容已放电至Vth，MOSFET 完全关断;该区间内GS 电容继续放电直至零。





SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。
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