[供应]

海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH36N60P场效应管

2020-4-1 11:07:48 515

0 ` 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH36N60P场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息威廉希尔官方网站 : Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 36 A Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 650 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 高度: 21.46 mm 长度: 16.26 mm 系列: IXFH36N60 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 5.3 mm 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 39 S 下降时间: 22 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 25 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 80 ns 典型接通延迟时间: 30 ns 单位重量: 6.500 g 开关处在导通状态下出现 DC 损耗，其原因是 FET 的导通电阻。这是一种十分简单的 I2R 损耗形成机制，如图 4 所示。但是，导通电阻会随 FET 结温而变化，这便使得这种情况更加复杂。所以，使用方程式 3）、4）和 5）准确计算导通电阻时，就必须使用迭代方法，并要考虑到 FET 的温升。降低 DC 损耗-简单的一种方法是选择一个低导通电阻的 FET。另外，DC 损耗大小同FET 的百分比导通时间成正比例关系，其为高侧 FET控制器占空比加上 1 减去低侧 FET 占空比，如前所述。由图 5 我们可以知道，更长的导通时间就意味着更大的DC 开关损耗，因此，可以通过减小导通时间/FET 占空比来降低 DC 损耗。例如，如果使用了一个中间 DC 电压轨，并且可以修改输入电压的情况下，设计人员或许就可以修改占空比。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-4-1 11:07:48　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH26N50P场效应管 1080 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH6N120P场效应管 470 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH50N85X场效应管 605 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH30N85X场效应管 1158 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH26N100X场效应管 691 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTQ22N60P场效应管 566 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH40N85X场效应管 877 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH32N100X场效应管 455 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTH16P60P场效应管 674 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFQ50N60X场效应管 504