海飞乐威廉希尔官方网站 现货替换IXFH26N50P场效应管

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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息  
威廉希尔官方网站 : Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 26 A
Rds On-漏源导通电阻: 230 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 21.46 mm  
长度: 16.26 mm  
系列: IXFH26N50  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 5.3 mm  
商标: IXYS  
正向跨导 - -小值: 26 S  
下降时间: 20 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 25 ns  
工厂包装数量: 30  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 58 ns  
典型接通延迟时间: 20 ns  
单位重量: 6.500 g


高压MOSFET原理与性能分析
在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞 争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之以2.4-2.6次方增长，其增长速度使MOSFET制造者和应用者不得不以数十倍的幅度降低额定电流，以 折中额定电流、导通电阻和成本之间的矛盾。即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高得惊人，导通损耗占MOSFET总损耗的2/3-4/5，使应用受到极大限制。
不同耐压的MOSFET的导通电阻分布。
不同耐压的MOSFET，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOSFET，其外延层电阻仅为 总导通电阻的29%，耐压600V的MOSFET的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。由此可以推断耐压800V的MOSFET的导通电阻将几乎被外 延层电阻占据。欲获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层，并增厚。这就是常规高压MOSFET结构所导致的高导通电阻的根本原因。