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海飞乐威廉希尔官方网站 现货替换IXFN50N120SK场效应管 制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 威廉希尔官方网站 : SiC 安装风格: Chassis Mount 封装 / 箱体: SOT-227-4 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV Id-连续漏极电流: 48 A Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V Qg-栅极电荷: 115 nC -小工作温度: - 40 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: - 配置: Single 通道模式: Enhancement 封装: Tube 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 10 子类别: MOSFETs 单位重量: 30 g 随着处理器频率的提高,过往的硅原料和制造工艺已经不能满足设计需求了,相关厂商只能探索新的材料和制造方式。例如FinFET和高K特性的栅极绝缘层的引入,就是为了解决这样的问题的。对测试厂商来说,任务也变得更加艰巨了: 例如,现在MOSFET的栅极越来越薄,使用的材料也发生变化,那就引入了许多新的效应,比如热电子注入和表面阱等等,因此如何测试MOSFET中的这些瞬时效应就成为测试厂商和芯片厂商关注的问题。 现在标准的MOSFET测试方案都是使用直流电或者慢速波形,而常见的MOSFET高速电路都跑在1GHz以上,因此传统测试方案无法测试到高速电路中的许多重要瞬态效应。为了解决这问题,使用上升时间小于1ns的快速波形的高速测试方案就很有必要了,因为这样就能提取到这些重要参数,进行下一步的分析。 ` |
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