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海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN100N65X2场效应管

2020-3-14 17:59:07 415

0 ` 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN100N65X2场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息威廉希尔官方网站 : Si 安装风格: Chassis Mount 封装 / 箱体: SOT-227-4 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 78 A Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V Qg-栅极电荷: 183 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 595 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 系列: 650V Ultra Junction X2 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 40 S 下降时间: 13 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 26 ns 工厂包装数量: 10 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 90 ns 典型接通延迟时间: 37 ns 作为一种快速比较准备用在开关应用里MOSFET的方式，设计者经常使用一个单数公式，公式包括表示传导损耗RDS(on)及表示开关损耗的Qg：RDS(on) xQg。这个“优值系数”(FOM)总结了器件的性能，可以用典型值或-大值来比较MOSFET。要保证在器件中进行准确的比较，你需要确定用于RDS(on) 和Qg的是相同的VGS，在公示里典型值和-大值没有碰巧混在一起。较低的FOM能让你在开关应用里获得更好的性能，但是不能保证这一点。只有在实际的电路里才能获得-好的比较结果，在某些情况下可能需要针对每个MOSFET对电路进行微调。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-14 17:59:07　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN170N65X2场效应管 806 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN70N100X场效应管 661 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN52N100X场效应管 579 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN90N85X场效应管 549 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN38N100Q2场效应管 596 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTH80N65X2场效应管 1521 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN50N120SK场效应管 430 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN220N20X3场效应管 660 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTH62N65X2场效应管 561 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN50N120SIC场效应管 623