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海飞乐威廉希尔官方网站 现货替换IXFQ140N20X3场效应管 制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 威廉希尔官方网站 : Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 140 A Rds On-漏源导通电阻: 9.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Qg-栅极电荷: 127 nC Pd-功率耗散: 480 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 55 S 下降时间: 12 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 20 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 130 ns 典型接通延迟时间: 28 ns MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、-大电压、-大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。 当电源IC与MOS管选定之后,选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。 一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求: (1) 开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。 (2) 开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。 (3) 关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。 (4) 驱动电路结构简单可靠、损耗小。 (5) 根据情况施加隔离。 ` |
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