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海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH120N25X3场效应管

2020-3-13 09:53:14 508

0 ` 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH120N25X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息威廉希尔官方网站 : Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 250 V Id-连续漏极电流: 120 A Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Qg-栅极电荷: 122 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 480 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 54 S 下降时间: 12 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 32 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 100 ns 典型接通延迟时间: 29 ns MOS管具有很低的导通电阻，消耗能量较低，在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管作为功率开关。但是由于MOS管的寄生电容大，一般情况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法。这对于设计高工作频率DC－DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路。这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常工作，并且能够在负载电容1～2pF的条件下工作频率能够达到几十兆甚至上百兆赫兹。本文正是采用了自举升压电路，设计了一种具有大负载电容驱动能力的，适合于低电压、高开关频率升压型DC－DC转换器的驱动电路。电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证，在供电电压1.5V ，负载电容为60pF时，工作频率能够达到5MHz以上。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-13 09:53:14　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH150N25X3场效应管 907 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH120N30X3场效应管 833 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH170N25X3场效应管 625 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH6N120P场效应管 471 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH50N85X场效应管 608 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH30N85X场效应管 1160 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH26N100X场效应管 694 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH180N20X3场效应管 596 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH72N30X3场效应管 1111 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH40N85X场效应管 881