[供应]

海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTH62N65X2场效应管

2020-3-10 17:50:33 572

0 ` 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTH62N65X2场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 62 A Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 780 W 配置: Single 商标名: HiPerFET 封装: Tube 产品: Power MOSFET Modules 类型: X2-Class 商标: IXYS 下降时间: 5 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 11 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 56 ns 典型接通延迟时间: 28 ns 现在常用的MOS管大多是N沟道增强型的了，一般一块钱左右的管子，源极电流可以达到近十安培而导通电阻仅在几毫欧。另外现在的MOS管已经不像早期那样脆弱，因为SD上并联有可以承受几安培电流的反向保护二极管。MOS管有几个重要的参数，Vgs，Vds,Id/Is以及Ron，其中对于Vgs也就是栅极控制电压有一些特殊的要求与用法，它就像三极管的Ibe，之所以称为Vgs就是因为这个电压必须相对于S级而言，也就是G极必须比S极高出一定的电压才能驱动MOS管，否则管子不能导通。比如Vgs耐压在12V左右的管子，当Vgs高于1.5V以上时就基本可以认为导通，一般4-5V就可以达到其-小Ron了。但是，由于这个电压是基于S极的，所以对于电源一类的开关管应用场合（靠低压控制高压输入），必须想办法让Vgs高于Vs足够高（或者也可以让管子并联于电源，靠储能器件工作于高速开关状态），而为了简化电路一般都是在栅极上添加自举电路。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-10 17:50:33　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTH80N65X2场效应管 1528 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN170N65X2场效应管 815 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN100N65X2场效应管 424 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTH16P60P场效应管 681 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXTH48P20P场效应管 698 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN70N100X场效应管 676 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFQ50N60X场效应管 505 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFP20N85X场效应管 831 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFH50N85X场效应管 608 • 海飞乐威廉希尔官方网站现货替换IXFN52N100X场效应管 591